TVA0400N09W3 时间：2025/7/19 0:09:14 阅读：3

TVA0400N09W3 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的功率MOSFET，专为高频率、高效率的电源转换系统而设计。该器件采用先进的沟槽栅极和电场缓冲器技术，提供出色的导通和开关性能。TVA0400N09W3 属于N沟道MOSFET，适用于如DC-DC转换器、电机控制、电源管理等应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）以及高电流容量，有助于降低功率损耗并提高系统效率。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：900V
　　最大漏极电流（ID）：4A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大2.1Ω（在VGS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：30nC（典型值）
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　功率耗散（PD）：80W
　　阈值电压（VGS(th)）：2.5V至4.5V
　　最大工作频率：适合高频操作

特性

TVA0400N09W3 的核心特性之一是其优化的导通和开关性能，这得益于其先进的沟槽技术与电场缓冲层设计。该器件的低导通电阻（RDS(on)）可显著减少导通损耗，提高电源转换效率。此外，TBA0400N09W3 在高频操作下表现出良好的开关响应，适合用于需要快速切换的应用场景，例如谐振转换器或LLC拓扑结构。
　　其高击穿电压（900V）确保了在高压系统中的稳定运行，能够承受瞬态过压和浪涌电压的影响。TVA0400N09W3 采用TO-247封装，具备良好的热管理和散热性能，适用于需要高可靠性的工业电源和消费类电子产品。
　　另外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动损耗，提升整体系统效率。同时，其阈值电压范围适中，兼容标准的10V栅极驱动器，简化了控制电路的设计。TVA0400N09W3 还具有良好的抗雪崩能力，能够承受在电源转换过程中可能发生的过载和短路情况。

应用

TVA0400N09W3 常用于多种功率电子系统中，包括工业电源、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器和电机控制应用。由于其高耐压和良好的导通性能，该器件特别适合用于PFC（功率因数校正）电路、LLC谐振转换器以及高压电源适配器的设计。
　　此外，TVA0400N09W3 也可用于家电中的电源管理模块，如空调、洗衣机等智能家电中的高压电机控制。在新能源领域，该器件还广泛应用于太阳能逆变器和储能系统的电源转换模块，以实现高效、稳定的能量传输。