时间：2025/9/2 10:15:56
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H9LA1GG25LBMCR-46M 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高带宽存储器（HBM，High Bandwidth Memory）技术的一部分。该芯片采用了先进的堆叠封装技术，具备高密度、高带宽和低功耗的特点，广泛用于高性能计算、图形处理、人工智能和数据中心等领域。
容量：1GB
类型：DRAM，HBM（High Bandwidth Memory）
接口类型：3D堆叠，多层堆叠封装
数据速率：460 Mbps（每秒百万次传输）
电压：1.2V
封装类型：BGA
工作温度范围：-40°C至+85°C
H9LA1GG25LBMCR-46M具备多项先进特性，首先，它基于HBM（High Bandwidth Memory）技术，实现了极高的数据传输带宽。通过3D堆叠封装技术，该芯片能够在一个封装内集成多个存储层，从而在较小的物理空间内提供更大的存储容量和更高的带宽。这种设计显著降低了内存访问延迟，同时减少了功耗。
其次，该芯片支持高数据速率，最高可达460 Mbps，适用于需要快速数据处理的应用场景，如GPU显存、AI加速器和高性能计算设备。其1.2V的低电压设计进一步优化了能效，使其在高负载运行时也能保持较低的功耗水平。
此外，H9LA1GG25LBMCR-46M采用了先进的BGA（Ball Grid Array）封装技术，具有良好的电气性能和散热能力，能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。其宽广的工作温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于工业级和高性能计算设备。
该芯片的堆叠架构还允许与处理器（如GPU或FPGA）通过硅通孔（TSV，Through-Silicon Via）技术实现更紧密的集成，从而提升系统整体性能，并减少PCB板的空间占用。
H9LA1GG25LBMCR-46M广泛应用于高性能计算（HPC）、图形处理单元（GPU）、人工智能加速器（如AI芯片和深度学习设备）、数据中心服务器、高端游戏显卡以及需要高带宽、低延迟内存的嵌入式系统。其3D堆叠结构和高带宽特性使其成为图形渲染、大数据处理、机器学习和实时数据分析等高性能应用场景的理想选择。
H9LA1G825LBR-46M, H5AN1G825LBR-46M, H5AN1G825JBR-46M
