时间：2025/7/23 21:16:22
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STP20NM60FD是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道功率MOSFET。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热性能，适用于各种高功率应用。STP20NM60FD采用先进的技术，确保在高温和高电流条件下仍能保持稳定的工作性能。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大漏极电流（Id）：20A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：0.25Ω（最大）
栅极电压（Vgs）：±30V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220、D2PAK
最大功耗：50W
STP20NM60FD的特性包括高耐压能力和低导通电阻，使其在高功率应用中表现出色。该器件的栅极电压范围较宽，支持±30V，增强了其在不同应用中的适应性。其封装形式（如TO-220和D2PAK）确保了良好的散热性能，适合高功率密度设计。
此外，STP20NM60FD具备良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠工作。其低导通电阻降低了导通损耗，提高了整体效率。这种特性在电源转换器、马达驱动器和负载开关等应用中尤为重要。
STP20NM60FD的封装设计支持快速安装和良好的热管理，适用于需要高效散热的应用场景。该器件的高可靠性和耐用性使其成为工业和消费类电子产品的理想选择。
STP20NM60FD广泛应用于电源管理、马达控制、负载开关、电源转换器和工业自动化设备等领域。它特别适合需要高耐压和高效能的功率管理应用。此外，该器件还可用于电源适配器、UPS系统和LED照明驱动电路。
STP16NF60FD STP20NM60N STP20NM60FD
