型号：BUK482100A
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：75A
　　脉冲漏极电流（IDM）：300A
　　导通电阻RDS(on) @ VGS=10V：4.5mΩ
　　导通电阻RDS(on) @ VGS=4.5V：6.5mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：典型1.8V，范围1.0~2.5V
　　输入电容（Ciss）：典型4000pF
　　输出电容（Coss）：典型950pF
　　反向恢复时间（trr）：典型28ns
　　最大功耗（PD）：200W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220

BUK482100A采用NXP先进的TrenchMOS工艺技术，这种技术通过在硅片上刻蚀出垂直沟道结构，显著提升了单位面积下的载流子迁移率，从而实现了极低的导通电阻与优异的开关性能。该器件在VGS=10V时的典型RDS(on)仅为4.5mΩ，在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，这意味着在大电流应用中能够大幅降低导通损耗，减少发热，提高系统能效。例如，在一个50A负载的同步整流DC-DC变换器中，仅导通损耗就可控制在11.25W以下（P = I2×R），远低于传统MOSFET。
　　该器件还具备出色的动态特性，输入电容（Ciss）约为4000pF，输出电容（Coss）约950pF，使得其在高频开关应用中表现出较低的驱动功率需求和快速的开关响应能力。反向恢复时间（trr）典型值为28ns，配合肖特基体二极管设计，有效降低了在桥式电路或续流应用中的反向恢复损耗和电压尖峰，提高了系统的电磁兼容性（EMC）表现。
　　热性能方面，BUK482100A的最大功耗为200W，结温范围宽达-55°C至+175°C，确保其在恶劣环境条件下仍能可靠运行。TO-220封装具备良好的热传导路径，可通过外接散热器将热量迅速散发，适用于紧凑型高功率密度设计。此外，该器件具备优秀的雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态过压或感性负载切换过程中的鲁棒性。
　　在栅极驱动方面，BUK482100A可在4.5V至10V的栅压下正常工作，兼容标准逻辑电平驱动器（如5V MCU或专用驱动IC），简化了驱动电路设计。其阈值电压典型值为1.8V，确保在低电压启动时也能可靠开启。综合来看，BUK482100A凭借低RDS(on)、高电流能力、优良热性能和稳健的制造工艺，成为中低压大电流功率开关应用的理想选择。

BUK482100A因其卓越的电气性能和高可靠性，被广泛应用于多种电力电子系统中。在开关模式电源（SMPS）中，它常用于同步整流拓扑，作为主整流或续流开关，显著提升转换效率，尤其适用于服务器电源、通信电源模块和高密度AC-DC适配器等对能效要求严苛的场合。在DC-DC降压或升压转换器中，该器件可作为高端或低端开关，支持高达数十安培的输出电流，满足现代微处理器、FPGA和GPU等高性能芯片的供电需求。
　　在电机驱动领域，BUK482100A可用于直流电机或步进电机的H桥驱动电路，提供快速响应和低损耗的开关控制，适用于电动工具、家用电器（如洗衣机、吸尘器）、工业自动化设备等。其高脉冲电流能力（300A）使其能够应对电机启动或堵转时的瞬态大电流冲击，保障系统稳定性。
　　此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）、电动车辆的辅助电源、LED驱动电源以及太阳能充电控制器等新能源应用。在这些系统中，BUK482100A的低导通电阻有助于延长电池续航时间，减少能量浪费。其宽工作温度范围和高可靠性也使其适合部署在户外或高温工业环境中。总之，BUK482100A是一款通用性强、性能优越的功率MOSFET，适用于所有需要高效、大电流、低损耗开关功能的中低压应用场景。

IPB036N04LC G
　　IRLB8743
　　SQM902EC-T1-GE3
　　FDS6680A
　　AOZ1282CI