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IGCM10F60GA 发布时间 时间:2025/5/10 13:16:56 查看 阅读:20

IGCM10F60GA 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 MOSFET 驱动芯片,主要用于功率转换和电机驱动应用。该芯片内置了多种保护功能,例如过流保护、欠压锁定和热关断等,能够显著提升系统的稳定性和可靠性。此外,其高集成度设计有效减少了外部元件数量,从而降低了整体解决方案的成本和复杂性。
  IGCM10F60GA 支持高达 60V 的工作电压,并且具有低导通电阻特性,非常适合用于 DC-DC 转换器、LED 驱动器以及小型电机控制等领域。

参数

最大额定电压:60V
  连续漏极电流:3.5A
  导通电阻(典型值):10mΩ
  栅极电荷:17nC
  开关速度:支持高频操作
  封装形式:TO-252 (DPAK)
  工作温度范围:-40℃ 至 +150℃

特性

1. 内置多重保护机制,包括过流保护(OCP)、欠压锁定(UVLO)以及过温保护(TSD)。
  2. 提供快速的短路响应时间,有助于防止器件在异常情况下损坏。
  3. 极低的导通电阻确保高效的功率传输,同时减少发热量。
  4. 高速开关能力使其适用于高频电路设计,从而减小磁性元件尺寸并优化效率。
  5. 兼容逻辑电平输入信号,简化与微控制器或其他驱动电路的接口设计。
  6. 小型封装设计节省 PCB 空间,同时提供良好的散热性能。

应用

1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器
  2. LED 照明驱动电路
  3. 小型直流电机控制
  4. 电池管理系统中的负载开关
  5. 消费类电子产品的功率管理模块
  6. 工业自动化设备中的信号调节与功率放大

替代型号

IRLZ44N, AO3400A, FDN340P

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IGCM10F60GA产品

IGCM10F60GA参数

  • 制造商Infineon
  • 产品IGBT Silicon Modules
  • 配置Dual Modules
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO600 V
  • 在25 C的连续集电极电流10 A
  • 功率耗散1.2 KW
  • 封装 / 箱体PG-MDIP-24-1
  • 封装Tube
  • 安装风格Through Hole
  • 商标名CIPOS