时间：2025/9/7 14:50:36
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HZF30BPTR是一种表面贴装（SMD）功率MOSFET晶体管，广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供低导通电阻和高效率，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等场合。该器件采用TO-252（DPAK）封装，便于散热并适合自动化装配。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大漏极电流（ID）：80A
导通电阻（RDS(on)）：约2.8mΩ（典型值，VGS=10V）
栅极阈值电压（VGS(th)）：1V~3V
最大功率耗散（PD）：100W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
HZF30BPTR具有极低的导通电阻，从而减少导通损耗并提高系统效率。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其适用于高功率密度设计。该器件的栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的驱动电路。此外，其封装设计有助于快速散热，提高长期运行的可靠性。
该MOSFET具备良好的雪崩能量耐受能力，提高了在高压瞬态条件下的稳定性。其快速开关特性有助于降低开关损耗，适用于高频开关应用。同时，该器件具有较高的短路耐受能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。
HZF30BPTR适用于多种功率电子系统，如直流电源供应器、同步整流器、电池管理系统、电动工具控制电路、汽车电子系统以及工业自动化设备中的电机驱动模块。其优异的导通特性和热管理能力也使其成为高效率电源转换器的理想选择。
IRF3710ZTRPBF, FDP3815AS, STP80NF30T, FQP80N30
