NB650GL-LF-Z 时间：2025/8/19 21:35:56 阅读：29

NB650GL-LF-Z 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）推出的高效能、低电压、双通道MOSFET驱动器集成电路。该器件专为需要高速开关和高效能的应用设计，例如电源转换器、电机控制、同步整流器以及其他功率电子系统。NB650GL-LF-Z 采用半桥结构，能够驱动高侧和低侧MOSFET，同时具备欠压锁定保护、交叉导通保护和热关断功能，以提高系统的可靠性和安全性。该芯片封装为TSSOP，适用于紧凑型电源设计。

参数

类型：MOSFET驱动器
　　拓扑结构：半桥
　　通道数：2
　　输入电压范围：4.5V 至 18V
　　输出电流（峰值）：4.0A
　　传播延迟：17ns（典型值）
　　上升时间：6ns（典型值）
　　下降时间：5ns（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：TSSOP-16

特性

NB650GL-LF-Z 具备多项高性能特性，使其在复杂的功率管理应用中表现出色。其核心特性之一是高驱动能力，输出峰值电流可达4.0A，支持快速开关MOSFET，从而降低开关损耗，提高系统效率。此外，该芯片具有极短的传播延迟（典型值17ns）和快速的上升/下降时间（分别6ns和5ns），适用于高频开关环境，例如DC-DC转换器、逆变器和同步整流器。
　　其半桥结构支持独立控制高侧和低侧MOSFET，适用于多种拓扑结构，如降压（Buck）、升压（Boost）和全桥变换器。芯片内部集成自举二极管，简化了外部电路设计，并降低了PCB布局的复杂性。
　　为了确保系统稳定性和安全性，NB650GL-LF-Z 集成了多种保护功能。其中包括欠压锁定（UVLO），防止MOSFET在电压不足的情况下工作，从而避免误导通或损坏；交叉导通保护，防止上下桥臂同时导通，避免短路风险；以及过热保护（OTP），在温度过高时自动关闭输出，保护器件免受热损伤。
　　该器件的输入逻辑兼容3.3V、5V和12V信号源，适用于多种控制器接口，增强了系统设计的灵活性。其TSSOP-16封装结构节省空间，适用于高密度功率模块设计。

应用

NB650GL-LF-Z 广泛应用于需要高效能、高频开关的功率电子系统中。其典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、同步整流器、UPS（不间断电源）、工业自动化控制系统以及功率因数校正（PFC）电路。由于其高驱动能力和集成保护功能，该芯片也适用于新能源系统，如太阳能逆变器、电动汽车充电模块以及储能系统中的功率转换模块。此外，NB650GL-LF-Z 适用于需要紧凑布局和高可靠性的嵌入式系统和工业设备。