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PET23235108 发布时间 时间:2025/7/9 14:12:15 查看 阅读:14

PET23235108是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率控制的应用中。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,从而实现更高的效率和更低的功耗。
  该型号属于PES系列中的一个成员,其设计旨在满足现代电子设备对小型化和高效能的需求,同时具备出色的热性能和稳定性。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:32A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
  总功耗:15W
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

PET23235108具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低功率损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 高电流承载能力,确保在大电流条件下稳定运行。
  4. 强大的抗雪崩能力,能够承受瞬态过载条件下的能量冲击。
  5. 良好的热性能,有助于提升器件的可靠性和寿命。
  6. 小型封装设计,便于集成到紧凑型电路板中。

应用

PET23235108适用于多种电力电子领域,包括但不限于以下场景:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换级。
  2. DC-DC转换器,提供高效的电压调节功能。
  3. 电机驱动电路,用于控制直流或无刷电机的速度和方向。
  4. 负载开关,实现对不同负载的快速切换。
  5. 电池保护电路,防止过充、过放和短路等情况发生。
  6. 其他需要高效功率管理的消费类电子产品及工业设备中。

替代型号

IRFZ44N
  STP32NF06L
  FDP5800

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