时间：2025/5/8 15:53:56
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5AGXBA3D4F27I5N 是一款高性能的功率MOSFET器件，适用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能。
通过优化的芯片设计和封装技术，5AGXBA3D4F27I5N能够在高频条件下保持高效的性能表现，同时具备良好的稳定性和可靠性。
型号：5AGXBA3D4F27I5N
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：12A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
开关时间：ton=8ns, toff=15ns
结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
5AGXBA3D4F27I5N具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，可有效降低导通损耗，提高系统效率。
2. 快速的开关速度，支持高频应用场合，减少开关损耗。
3. 优秀的热性能，允许更高的功率密度设计。
4. 高雪崩能量能力，增强器件在异常工作条件下的鲁棒性。
5. 内置ESD保护功能，提高器件的抗静电能力，确保可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保且适合多种工业要求。
这些特性使该MOSFET能够胜任从消费类电子到工业控制的广泛场景。
该器件主要应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)，如AC-DC适配器、USB-PD充电器等。
2. DC-DC转换器，包括降压、升压和反相电路。
3. 电机驱动，用于无刷直流电机(BLDC)和步进电机控制。
4. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
5. 电池管理系统(BMS)，用作充放电路径的开关元件。
6. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
其高效性能和宽泛的应用范围使其成为现代电力电子设计的理想选择。
5AGXBA3D4F27I3N, IRFZ44N, FDP55N06L
