时间：2025/9/3 18:46:11
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STT200GK18B 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的功率MOSFET晶体管。该器件属于STripFET? F系列技术，专门设计用于高效率和高性能的功率转换应用。该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和优异的热性能，适用于如电源管理、DC-DC转换器、电池充电器以及工业控制系统等场景。STT200GK18B采用双栅极（Dual Gate）封装设计，使其在高频率开关应用中表现优异。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：180A
最大漏源电压（Vds）：100V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大5.2mΩ
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-247
技术：STripFET? F系列
STT200GK18B功率MOSFET采用了STripFET? F系列技术，这一先进的制造工艺显著降低了导通电阻，并优化了开关性能，使其在高频率操作中表现卓越。该器件的低Rds(on)特性（最大5.2mΩ）能够有效减少导通损耗，提高系统效率。此外，其高电流承载能力（180A）和耐高压能力（100V）使其在严苛的工业应用中具备出色的可靠性。
该MOSFET的封装形式为TO-247，具备良好的热管理和散热性能，适用于高功率密度设计。双栅极结构有助于减少米勒效应的影响，从而提升开关速度和降低开关损耗。STT200GK18B还具备较高的抗雪崩能力，能够在高能瞬态条件下保持稳定工作。
STT200GK18B功率MOSFET广泛适用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统。其典型应用包括高功率DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、工业电机驱动、功率因数校正（PFC）电路以及电动汽车充电模块等。此外，该器件也可用于音频放大器的电源部分、大功率LED照明驱动电路以及各种高电流开关应用。
在电源管理领域，STT200GK18B可用于设计高效同步整流器，以提高转换效率并减少热量产生。在新能源应用中，例如太阳能逆变器，该MOSFET能够承受恶劣的工作条件，并提供稳定的功率转换性能。由于其快速开关特性和低导通损耗，它也适用于高频功率转换器和高密度电源模块。
STT200N10F7, STP180N10F7, IPW90R120C3, IRFP4468
