时间：2025/9/14 14:37:19
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BAT760F是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于中高功率的电源管理应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽技术，提供高效率、低导通电阻和优异的热性能，使其在高电流条件下仍能保持稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：70A
导通电阻（RDS(on)）：约2.8mΩ（典型值）
封装类型：D2PAK
工作温度范围：-55°C至175°C
BAT760F具有低导通电阻，显著减少了功率损耗，提高了系统的整体效率。
其先进的沟道设计优化了开关性能，降低了开关损耗，并支持高频操作。
该MOSFET采用了D2PAK封装，提供了良好的热管理和散热能力，适用于高功率密度设计。
此外，BAT760F还具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在极端条件下提供可靠运行。
其坚固的结构设计确保了在恶劣环境中长期使用的稳定性，并具有较高的耐用性和抗干扰能力。
BAT760F常用于电源转换器、DC-DC转换器、电池管理系统、电机控制、功率因数校正（PFC）模块以及汽车电子系统等应用领域。
此外，它也广泛应用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等高功率设备中。
由于其优异的导通和开关性能，BAT760F还适合用于需要高效能和高可靠性的现代电源管理方案。
IPW90R120C3, IRFP4468PBF, FDP7030BL
