FWIXP425BD 时间：2025/10/30 0:35:20 阅读：57

FWIXP425BD是一款由Wolfspeed（原Cree）推出的高性能SiC（碳化硅）MOSFET功率器件，专为高效率、高频率和高温工作环境设计。该器件基于第三代碳化硅技术平台，采用先进的沟道栅极结构，提供卓越的开关性能和导通特性，适用于各类要求严苛的电力电子系统。FWIXP425BD具有较低的导通电阻（RDS(on)）、优异的体二极管特性以及出色的热稳定性，使其在新能源汽车主驱逆变器、车载充电机（OBC）、工业电机驱动、太阳能逆变器及服务器电源等领域具有广泛的应用前景。该器件封装形式为D2PAK-7L（双侧散热），便于实现紧凑型设计并提升散热效率，尤其适合对功率密度要求较高的应用场景。

参数

型号：FWIXP425BD
　　制造商：Wolfspeed (Cree)
　　器件类型：SiC MOSFET
　　漏源电压（VDS）：650 V
　　栅源电压（VGS）：±23 V
　　连续漏极电流（ID @ 25°C）：110 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：390 A
　　导通电阻（RDS(on) @ VGS = 20 V, ID = 55 A）：25 mΩ
　　输入电容（Ciss）：10700 pF
　　输出电容（Coss）：780 pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：典型值 0 C
　　开启延迟时间（td(on)）：25 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：45 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +175 °C
　　封装类型：D2PAK-7L (含裸焊盘)
　　是否符合RoHS：是

特性

FWIXP425BD的核心优势在于其采用的碳化硅材料与优化的沟道栅极设计，显著降低了导通损耗和开关损耗。相较于传统硅基IGBT或MOSFET，该器件具备更高的击穿场强和热导率，可在更高电压和温度下稳定运行。
　　其低至25 mΩ的导通电阻有效减少了大电流下的I2R损耗，提升了整体能效。同时，SiC MOSFET固有的无尾电流特性使其在高频开关应用中表现出色，大幅降低关断过程中的能量损耗，从而支持更高频率的PWM控制，有助于减小磁性元件体积，提高系统功率密度。
　　此外，该器件集成了一个体二极管，虽然SiC MOSFET的体二极管正向压降略高于肖特基二极管，但其反向恢复电荷几乎为零，避免了传统PN结二极管带来的反向恢复损耗和电磁干扰问题，在桥式电路中可实现更平滑的换流过程。
　　宽达-55 °C至+175 °C的工作结温范围使其能够适应极端环境，如发动机舱附近或密闭工业设备内部，无需额外冷却即可长期可靠运行。D2PAK-7L封装支持双面散热设计，顶部和底部均可用于热传导，极大增强了热管理能力，特别适用于高功率密度模块化设计。
　　栅极驱动方面，FWIXP425BD支持标准的±23 V栅压操作，兼容主流隔离型栅极驱动器，简化了驱动电路设计。其良好的抗噪声能力和稳健的短路耐受能力（通常可达数微秒）进一步提升了系统可靠性。总体而言，FWIXP425BD凭借其优异的电气和热性能，成为现代高效电力转换系统的理想选择。

应用

主要应用于电动汽车主驱逆变器，作为三相桥臂开关器件，实现电池直流电到交流电的高效转换，驱动牵引电机运行；也广泛用于车载充电机（OBC）中的PFC升压级和DC-DC变换级，提升充电效率并缩小整机体积；在工业领域可用于伺服驱动器、变频器和UPS不间断电源系统，支持高频化和小型化设计；此外，在可再生能源系统如光伏逆变器中，该器件有助于实现更高的最大功率点跟踪（MPPT）效率和更低的总谐波失真（THD）；也可用于数据中心高压直流电源、5G基站电源等高端电源设备中，满足高能效和高可靠性需求。