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HYB18TC512160B2F-25F 发布时间 时间:2025/8/12 17:26:40 查看 阅读:22

HYB18TC512160B2F-25F 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 SDRAM(同步动态随机存取存储器)芯片,广泛应用于需要大容量内存的电子设备中。该芯片提供512Mbit的存储容量,采用x16的数据宽度,支持高速数据访问,适用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备等场景。

参数

容量:512Mbit
  数据宽度:x16
  封装类型:FBGA
  电源电压:2.3V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  最大时钟频率:166MHz
  访问时间:25ns
  接口类型:SDRAM

特性

HYB18TC512160B2F-25F 芯片具备高性能和高可靠性的特点。其采用的同步动态存储器技术使得内存访问更加高效,能够与高速处理器完美匹配。该芯片的封装形式为FBGA,具有较小的体积和良好的电气性能,适用于空间受限的应用场景。此外,其宽广的工作温度范围(-40°C 至 +85°C)使其能够在各种恶劣环境中稳定运行。
  该芯片支持自动刷新和自刷新功能,有效降低功耗并提高数据保持能力。同时,其内置的突发模式支持连续数据传输,提升整体系统性能。由于其优异的电气特性和兼容性,HYB18TC512160B2F-25F 成为许多工业级和商业级应用的理想选择。

应用

该芯片主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、通信设备、消费类电子产品等需要大容量高速存储的领域。由于其高可靠性和宽温工作范围,也适用于汽车电子、安防监控等对环境要求较高的应用场景。

替代型号

IS42S16512A2F-25F, MT48LC16M512A2B4-25F

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