型号：FMM5522GJ
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　封装形式：PowerLFN
　　漏源电压VDS：20V
　　栅源电压VGS：±8V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：9.7A
　　脉冲漏极电流IDM：36A
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=4.5V）：6.7mΩ
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=2.5V）：9.5mΩ
　　阈值电压VGS(th)：0.6V ~ 1.0V
　　输入电容Ciss：500pF @ VDS=10V
　　输出电容Coss：210pF @ VDS=10V
　　反向传输电容Crss：45pF @ VDS=10V
　　二极管正向电压VSD：1.0V（最大值）
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　热阻RθJA：45°C/W（典型值）
　　热阻RθJC：3.5°C/W（典型值）

FMM5522GJ采用了安森美的先进TrenchMOS沟槽型场效应晶体管技术，这种结构显著降低了导通电阻RDS(on)，同时保持了良好的开关特性和雪崩耐受能力。在VGS=4.5V条件下，其最大导通电阻仅为6.7mΩ，这意味着在大电流应用中能够有效减少功率损耗和发热，提升系统能效。此外，在更低的驱动电压如2.5V下仍可实现9.5mΩ的低导通电阻，使其非常适合用于由逻辑电平信号直接驱动的低压控制系统，例如由微控制器GPIO口直接控制负载开关或电机驱动。
　　该器件的栅极电荷Qg非常低，典型值仅为8nC（@VGS=10V），这使得它在高频开关应用中表现出色，能够显著降低驱动损耗并提高转换效率。低输入电容和反向传输电容也有助于减少米勒效应的影响，增强器件在高dv/dt环境下的抗扰能力，防止误触发。
　　PowerLFN封装不仅尺寸小巧（通常为2mm x 2mm或类似规格），还具备优异的散热性能。底部带有暴露焊盘的设计可以将热量高效传导至PCB地层，从而实现更好的热管理。这种封装方式有助于在高密度PCB布局中节省空间，同时维持稳定的电气性能。
　　FMM5522GJ还具备优良的SOA（安全工作区）特性，能够在瞬态过载或短路情况下提供一定的耐受能力，增强了系统的鲁棒性。内置体二极管具有较低的反向恢复时间与软恢复特性，有利于减少开关过程中的电压尖峰和电磁干扰。综合来看，FMM5522GJ凭借其低RDS(on)、快速开关、小封装和高可靠性，成为现代高效电源设计中的理想选择。

FMM5522GJ广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子系统中。常见用途包括但不限于：同步降压变换器中的下桥臂开关，用于DC-DC电源模块以实现高效率能量转换；在手持设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中作为电池供电路径上的负载开关，用于切断闲置模块的电源以延长续航时间；在USB供电接口中用作过流保护和热插拔控制的开关元件，确保连接设备的安全接入。
　　此外，该器件也适用于电机驱动电路中的低端开关，尤其是在微型马达或振动马达控制中表现良好。由于其支持逻辑电平驱动，因此可以直接由MCU或数字信号处理器进行控制，无需额外的电平转换或驱动电路，简化了系统设计并降低了成本。
　　在LED背光驱动和恒流源设计中，FMM5522GJ可用于调节电流路径的通断，实现精准的亮度控制。在热插拔控制器、电源排序电路以及多电源域切换系统中，该MOSFET也发挥着关键作用，保障电源平稳切换的同时避免浪涌电流冲击。
　　工业领域中，该器件可用于传感器供电管理、PLC模块中的信号隔离与驱动，以及低功耗无线通信模块（如LoRa、BLE、Zigbee）的电源门控单元。其高可靠性和宽温度范围使其适应严苛的工作环境。总之，凡是需要低电压、大电流、高效率且空间受限的功率开关场合，FMM5522GJ都是一个极具竞争力的选择。

FDMN5620S
　　NVMFS5C451NL
　　SI2302DDS