型号: HY5PS12821EFP-Y5-A
　　类型: LPDDR2 SDRAM
　　容量: 128MB
　　数据宽度: x16
　　电压: 1.2V ~ 1.8V（核心电压）
　　接口电压: 1.2V ~ 3.6V
　　时钟频率: 高达 200MHz
　　数据速率: 高达 400Mbps（双倍数据速率）
　　封装类型: 98-TFBGA
　　工作温度: 工业级（-40°C 至 +85°C）

HY5PS12821EFP-Y5-A 是一款基于LPDDR2标准的低功耗DRAM芯片，采用CMOS工艺制造，具备出色的能效比。该芯片支持多种操作模式，包括自刷新模式（Self-Refresh Mode）、深度掉电模式（Deep Power-Down Mode）和温度补偿自刷新（Temperature-Compensated Self-Refresh, TCSR），从而在不同应用场景下实现最优的能耗管理。
　　该芯片的x16数据宽度设计使其在带宽利用率方面表现优异，适用于需要高吞吐量的数据处理任务。此外，它具备自动预充电和突发长度可编程功能，允许系统根据应用需求优化内存访问效率。
　　封装方面，HY5PS12821EFP-Y5-A采用98引脚的TFBGA（Thin Fine-Pitch Ball Grid Array）封装形式，体积小巧，便于在空间受限的移动设备中布局。其工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）也确保了在严苛环境下的稳定运行。
　　电压兼容性是该芯片的另一大优势，其核心电压为1.2V至1.8V，I/O电压范围为1.2V至3.6V，使其能够适配多种主控平台，增强了系统的兼容性和灵活性。

HY5PS12821EFP-Y5-A广泛应用于各类低功耗嵌入式系统和移动设备中。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器、GPS导航设备、工业控制设备以及物联网（IoT）终端等。由于其低功耗特性和高集成度，该芯片特别适合用于电池供电且对功耗要求较高的设备，有助于延长设备续航时间并提高系统稳定性。
　　在嵌入式系统中，HY5PS12821EFP-Y5-A可作为主内存或缓存使用，支持高速数据处理和多任务并行操作。它也常用于图形处理器、视频解码模块和高速数据缓存系统中，以提升整体系统性能。

HY5PS12821BFP-Y5-A、MT48LC16M16A2B4-6A、EM68A160TS-5X