时间：2025/6/17 16:31:28
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STP9NK65Z是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景中，能够提供高效率和低功耗的性能。
该MOSFET具有较低的导通电阻和较高的击穿电压，适合在高频开关条件下使用。其设计目标是在功率转换应用中优化性能与可靠性。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：9A
导通电阻：1.8Ω
栅极电荷：30nC
总功耗：175W
工作结温范围：-55℃至175℃
STP9NK65Z具备以下主要特性：
1. 高击穿电压（650V），确保在高压环境下的稳定运行。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)为1.8Ω，在典型条件下），有助于减少传导损耗。
3. 快速开关能力，得益于较小的栅极电荷量（30nC），可以有效降低开关损耗。
4. 高温适应性，支持最高结温达175℃，适合恶劣的工作环境。
5. 封装形式为标准TO-220，便于安装和散热设计。
6. 符合RoHS标准，环保且满足现代电子设备要求。
这款MOSFET适用于多种电力电子应用场景：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器的核心功率级控制。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 各类工业自动化设备及家电产品的功率管理模块。
5. 电池充电器和逆变器中的功率调节部分。
6. 用于负载切换和保护的高性能开关。
STP9NK60Z
IRF840
FDP15U65A
IXFN10N65T
STB9KP60Z
