HY628400LG-70 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为256K x 16位,即总容量为4MB。该芯片采用高速CMOS技术制造,适用于需要快速数据访问的嵌入式系统和工业控制设备。HY628400LG-70 是TSOP(Thin Small Outline Package)封装,具备低功耗、高性能的特点,适用于多种需要高速缓存或主存的应用场景。
容量:256K x 16位
电压:3.3V 或 5V(具体取决于型号后缀)
访问时间:70ns
封装类型:TSOP
引脚数:54
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
接口类型:异步SRAM
最大工作频率:约14MHz
待机电流:低功耗模式支持
HY628400LG-70 是一款高性能异步SRAM芯片,具备快速访问时间和低功耗特性。其访问时间为70ns,意味着其最大工作频率可达约14MHz,适用于中等速度的数据处理应用。该芯片支持3.3V或5V供电(具体电压取决于具体子型号),使其在多种系统中具有良好的兼容性。
该芯片采用CMOS工艺制造,具有较高的抗干扰能力和较低的静态电流,尤其在待机模式下可显著降低功耗。此外,其TSOP封装设计有助于节省PCB空间,并便于表面贴装工艺(SMT)生产。
HY628400LG-70 支持异步操作,无需时钟同步信号,适用于传统的微处理器和控制器系统。它的256K x 16位结构提供了4MB的存储容量,适合用作嵌入式系统的高速缓存或临时数据存储单元。该芯片广泛用于工业控制、通信设备、医疗仪器和消费类电子产品中。
HY628400LG-70 适用于需要高速数据访问的嵌入式系统,如工业控制设备、自动测试设备(ATE)、网络通信设备和医疗仪器。由于其低功耗特性和宽工作温度范围,该芯片也常用于便携式电子设备和恶劣环境下的控制系统。此外,该SRAM芯片可作为微控制器、数字信号处理器(DSP)或现场可编程门阵列(FPGA)的外部存储器扩展,用于高速缓存或临时数据存储。
IS61LV25616-70BLL、CY62148EVLL-70B、A628400LG-70、AS7C25616-70BCTI