时间：2025/10/29 22:45:20
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TE28F320B3BA110是一款由Intel（现为英特尔）推出的32兆位（4MB）NOR闪存芯片，属于Intel StrataFlash家族中的Embedded Flash Memory产品线。该器件采用先进的多级单元（MLC）技术，能够在每个存储单元中存储多个比特信息，从而在保持较小封装尺寸的同时实现较高的存储密度。TE28F320B3BA110支持x8/x16两种数据接口模式，具备异步读写能力，适用于需要高可靠性、低功耗和中等容量非易失性存储的应用场景。该芯片广泛用于工业控制、网络设备、通信基础设施以及嵌入式系统中，作为程序代码存储或固件保存介质。其设计符合多种工业温度标准，可在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定工作，适合恶劣环境下的长期运行。此外，该器件集成了内部写状态机（Write State Machine），可自动管理编程和擦除操作，减轻主机处理器负担，并提高系统整体效率。
容量：32 Mbit（4 MB）
组织结构：2 x 16 Mbit阵列，每阵列包含128个扇区
电压：2.7V 至 3.6V（Vcc）
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装形式：TSOP-48
接口类型：x8/x16 可配置
访问时间：110ns（最大）
编程/擦除电压：内部电荷泵生成
待机电流：< 100 μA
编程电流：典型值 20 mA
封装尺寸：12mm × 20mm × 1.2mm
TE28F320B3BA110具备多项先进特性，使其在嵌入式非易失性存储领域具有显著优势。首先，该芯片采用Intel的StrataFlash技术，结合多级单元（MLC）架构，在相同物理空间内实现了比传统单级单元（SLC）更高的存储密度，有效降低了单位存储成本，同时保持了良好的数据保留性能。其次，其内置的智能写状态机（WSM）能够自动执行复杂的编程和擦除算法，包括电压调节、脉冲计数与验证流程，用户仅需发出指令即可完成操作，极大简化了软件驱动开发难度并提升了操作可靠性。
该器件支持页编程模式，允许以较小的数据块进行高效写入，提升系统灵活性；同时提供多种硬件与软件保护机制，防止意外写入或擦除关键数据区域，例如通过Vpp引脚电压监控、软件写保护命令以及上电复位时的默认锁定状态来增强数据安全性。此外，TE28F320B3BA110具备低功耗管理模式，包括待机模式和深度掉电模式，可根据系统需求动态切换，延长电池供电系统的续航时间。
在读取性能方面，该芯片提供快速异步访问能力，典型读取访问时间为110ns，满足大多数实时嵌入式系统的响应要求。它还支持高级扇区保护功能，允许用户对特定扇区实施永久性或可逆性写保护，适用于存放启动代码或校准参数等关键信息。最后，该器件兼容JEDEC标准接口协议，便于与各类微控制器、DSP及FPGA平台集成，具备良好的互操作性和升级兼容性，是工业自动化、路由器、交换机、医疗设备等对稳定性要求较高应用的理想选择。
TE28F320B3BA110主要应用于对非易失性存储有较高可靠性与稳定性要求的嵌入式系统中。典型应用场景包括网络通信设备如路由器、交换机和基站控制器，其中用作Boot Code存储器，确保设备在断电后仍能可靠加载固件并正常启动。在工业控制系统中，该芯片常用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程I/O模块，用于存储用户程序、配置参数及运行日志，其宽温特性和抗干扰能力保障了在复杂电磁环境下的数据完整性。
此外，该器件也广泛应用于电信基础设施设备，如DSLAM、光网络终端（ONT）和无线接入点，承担操作系统映像和配置文件的存储任务。在医疗电子设备中，如便携式监护仪、超声成像系统等，TE28F320B3BA110可用于存储设备校准数据、操作界面资源及诊断程序，满足医疗行业对长期数据保存和安全性的严格要求。同时，由于其支持x8/x16模式切换，能够适配不同总线宽度的处理器平台，因此在多种基于ARM、PowerPC、MIPS架构的嵌入式主板上均有部署。其高耐用性（典型擦写次数达10万次）和长达20年的数据保持能力，也使其适用于需要频繁更新且长期运行的现场设备升级方案。
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