时间：2025/8/9 10:28:44
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FMP09N70E 是一款由 Fairchild（飞兆半导体，现为安森美半导体的一部分）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高电压和高效率的开关应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）特性，能够在高达 700V 的漏极-源极电压下工作，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、照明驱动等高电压应用场景。由于其高耐压能力和低功耗设计，FMP09N70E 在工业电源、家电控制和绿色能源系统中广泛应用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：700V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：9A（在 25°C 下）
导通电阻（Rds(on)）：0.85Ω @ Vgs=10V
功耗（Pd）：125W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220、TO-263（D2PAK）
栅极电荷（Qg）：26nC（典型值）
输入电容（Ciss）：1100pF
FMP09N70E 的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压高达 700V，使其适用于需要高电压隔离和稳定性的应用。该器件的导通电阻较低，在 10V 栅极驱动电压下仅为 0.85Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该 MOSFET 具有良好的热稳定性，封装设计支持良好的散热性能，有助于在高电流工作条件下维持稳定。
该器件还具备快速开关特性，栅极电荷仅为 26nC，有助于减少开关损耗并提高开关频率，适用于高频开关电源设计。FMP09N70E 的输入电容较小，进一步提高了其在高频应用中的响应能力。同时，其过温保护和过电流能力使其在恶劣环境下也能保持稳定运行，适用于工业和家电控制系统。
从封装角度看，FMP09N70E 可提供 TO-220 和 TO-263（D2PAK）两种封装形式，便于在不同电路设计中灵活使用。TO-263 为表面贴装封装，适用于自动化装配和高密度 PCB 布局，而 TO-220 则更适合于通孔安装和需要更好散热性能的设计。
FMP09N70E 适用于多种高电压、中等电流的开关应用，广泛用于开关电源（SMPS）、AC-DC 转换器、DC-DC 转换器、LED 照明驱动电路、电机控制、逆变器以及各种工业和消费类电子设备中的功率开关部分。在节能灯具和智能家电中，该器件可用于高效能功率调节电路。此外，在太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统中，FMP09N70E 也可作为主开关元件使用，提供稳定的高电压控制能力。
FQA9N70、IRF840、STP9NK70Z、FDPF09N70E
