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FMP09N70E 发布时间 时间:2025/8/9 10:28:44 查看 阅读:23

FMP09N70E 是一款由 Fairchild(飞兆半导体,现为安森美半导体的一部分)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,适用于高电压和高效率的开关应用。该器件具有低导通电阻(Rds(on))特性,能够在高达 700V 的漏极-源极电压下工作,适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、照明驱动等高电压应用场景。由于其高耐压能力和低功耗设计,FMP09N70E 在工业电源、家电控制和绿色能源系统中广泛应用。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压(Vds):700V
  栅源电压(Vgs):±30V
  连续漏极电流(Id):9A(在 25°C 下)
  导通电阻(Rds(on)):0.85Ω @ Vgs=10V
  功耗(Pd):125W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:TO-220、TO-263(D2PAK)
  栅极电荷(Qg):26nC(典型值)
  输入电容(Ciss):1100pF

特性

FMP09N70E 的主要特性之一是其高耐压能力,漏源电压高达 700V,使其适用于需要高电压隔离和稳定性的应用。该器件的导通电阻较低,在 10V 栅极驱动电压下仅为 0.85Ω,这有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,该 MOSFET 具有良好的热稳定性,封装设计支持良好的散热性能,有助于在高电流工作条件下维持稳定。
  该器件还具备快速开关特性,栅极电荷仅为 26nC,有助于减少开关损耗并提高开关频率,适用于高频开关电源设计。FMP09N70E 的输入电容较小,进一步提高了其在高频应用中的响应能力。同时,其过温保护和过电流能力使其在恶劣环境下也能保持稳定运行,适用于工业和家电控制系统。
  从封装角度看,FMP09N70E 可提供 TO-220 和 TO-263(D2PAK)两种封装形式,便于在不同电路设计中灵活使用。TO-263 为表面贴装封装,适用于自动化装配和高密度 PCB 布局,而 TO-220 则更适合于通孔安装和需要更好散热性能的设计。

应用

FMP09N70E 适用于多种高电压、中等电流的开关应用,广泛用于开关电源(SMPS)、AC-DC 转换器、DC-DC 转换器、LED 照明驱动电路、电机控制、逆变器以及各种工业和消费类电子设备中的功率开关部分。在节能灯具和智能家电中,该器件可用于高效能功率调节电路。此外,在太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统中,FMP09N70E 也可作为主开关元件使用,提供稳定的高电压控制能力。

替代型号

FQA9N70、IRF840、STP9NK70Z、FDPF09N70E

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