6N70(也称为 CJPF06N70)是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器和电机控制等高功率场合。该器件采用高压工艺制造,具备良好的热稳定性和低导通电阻特性,适用于需要高效能和高可靠性的电源设计。6N70的封装形式通常为TO-220或TO-252(DPAK),便于散热和安装。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电压(Vds):700V
最大栅极电压(Vgs):±30V
最大连续漏极电流(Id):6A(在25℃)
导通电阻(Rds(on)):≤1.8Ω
工作温度范围:-55℃~150℃
封装形式:TO-220、TO-252
6N70/CJPF06N70具有优异的开关性能和导通特性,能够在高电压和高电流条件下稳定运行。其主要特性包括:
? 高耐压能力:最大漏极电压可达700V,适用于中高压电源系统。
? 低导通电阻:Rds(on)小于1.8Ω,有效降低导通损耗,提高系统效率。
? 快速开关速度:具备良好的开关响应特性,适用于高频开关应用。
? 热稳定性强:采用先进的封装技术,具备良好的散热性能,适用于高温环境。
? 过载与短路保护:具有一定的抗过载和短路能力,增强系统安全性。
? 宽工作温度范围:可在-55℃至+150℃环境下稳定工作,适用于工业级应用。
6N70/CJPF06N70常用于以下应用场景:
? 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
? DC-DC降压/升压转换器,适用于适配器、充电器等设备。
? 逆变器系统,如太阳能逆变器、UPS不间断电源等。
? 电机驱动和控制电路,如电动工具、风扇控制等。
? LED照明驱动电源,提供高效的恒流控制。
? 家用电器和工业设备中的功率控制模块。
6N60、7N60、FQP6N70、IRF740、STP6NA70