时间：2025/9/2 6:51:34
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HY5S5B6GLFP是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的高性能动态随机存取存储器（DRAM）芯片。这款芯片属于低功耗、高速存储器产品系列，专为满足嵌入式系统、网络设备、工业自动化和消费电子等应用的需求而设计。HY5S5B6GLFP采用先进的制造工艺，具有较高的存储密度和可靠性，能够在宽温度范围内稳定工作，适用于对性能和功耗都有较高要求的应用场景。
类型：DRAM
容量：256MB
数据宽度：16位
封装类型：FBGA
电源电压：1.8V
时钟频率：166MHz
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装尺寸：54-ball FBGA
数据传输速率：333Mbps
接口类型：SDR SDRAM
刷新周期：64ms
HY5S5B6GLFP是一款高性能、低功耗的DRAM芯片，具有优异的电气和机械特性。其1.8V的电源电压设计使其在降低功耗的同时仍能保持良好的性能表现，非常适合便携式设备和对功耗敏感的应用。该芯片的166MHz时钟频率和333Mbps的数据传输速率确保了其在高速数据处理中的稳定性，适用于图像处理、实时数据缓存和嵌入式系统的主存储器应用。此外，HY5S5B6GLFP采用54-ball FBGA封装，体积小巧，便于在空间受限的电路板上进行布局，并具有良好的散热性能。其-40°C至+85°C的宽工作温度范围确保了在各种恶劣环境下的可靠运行，适合工业级应用。芯片还集成了自动刷新和自刷新功能，能够在低功耗模式下保持数据完整性，延长设备的电池寿命。
HY5S5B6GLFP广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、网络路由器和交换机、消费电子产品（如智能电视和机顶盒）、图像处理模块以及便携式电子设备等领域。其高速数据传输能力和低功耗设计使其成为对性能和能效都有较高要求的应用的理想选择。
MT48LC16M16A2B4-6A, K4T51163QG-HCF7
