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HY57V281620HCT-H 发布时间 时间:2025/5/30 23:06:05 查看 阅读:10

HY57V281620HCT-H 是一款由现代半导体(Hyundai Semiconductor)推出的 32Mb(4Mx8)高速同步动态随机存取存储器(SDRAM)。这款芯片采用先进的 CMOS 工艺制造,适用于需要高带宽和低功耗的计算机和嵌入式系统应用。它支持突发模式操作,并提供高效的时钟同步功能,能够显著提升数据传输速度和系统性能。
  该芯片具有较高的集成度和较低的工作电压,同时支持多种工作模式,使其成为高性能计算设备的理想选择。

参数

容量:32Mb
  组织结构:4M x 8
  工作电压:3.3V
  访问时间:10ns
  封装类型:TSOP II
  引脚数:54
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  时钟频率:最高133MHz
  数据宽度:8位

特性

HY57V281620HCT-H 的主要特点是其高容量和快速的数据处理能力。它支持 SDRAM 的标准特性,例如突发长度可配置为 1、2、4 或 8,预充电和自动刷新功能,以及基于外部时钟信号的同步操作。
  该芯片还具有低功耗待机模式,允许设备在不使用时进入节能状态。此外,其 TSOP II 封装形式提供了良好的电气特性和散热性能,非常适合紧凑型设计需求。
  由于采用了先进的工艺技术,HY57V281620HCT-H 在功耗和性能之间实现了良好的平衡,适合应用于笔记本电脑、游戏机、路由器以及其他需要大容量存储和高性能计算的场合。

应用

HY57V281620HCT-H 被广泛应用于各种需要高速数据处理和大容量存储的场景中。包括但不限于:
  - 笔记本电脑和台式机的内存扩展模块
  - 游戏主机和多媒体播放器中的临时数据存储
  - 网络通信设备(如路由器和交换机)的缓冲存储
  - 嵌入式系统的主存储单元
  - 工业控制设备中的数据缓存组件
  它的高可靠性和灵活性使得它成为许多高性能电子设备的核心部件之一。

替代型号

HY57V281620BTC-H, HY57V281620BTT-H

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