RF5765SB 时间：2025/8/16 3:56:51 阅读：32

RF5765SB 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）生产的高线性度、低噪声放大器（LNA），专为 2.3 GHz 至 2.7 GHz 的无线通信应用而设计。该器件采用 GaAs HBT（Heterojunction Bipolar Transistor）技术制造，提供高增益、低噪声系数和优异的线性性能，适用于 Wi-Fi、WLAN、无线基础设施、点对点通信以及工业控制系统等高频应用场景。

参数

频率范围：2.3 GHz 至 2.7 GHz
　　增益：19 dB（典型值）
　　噪声系数：1.3 dB（典型值）
　　输出IP3：+42 dBm（典型值）
　　工作电压：5 V
　　静态电流：80 mA（典型值）
　　封装类型：SOT-89

特性

RF5765SB 具备出色的线性性能，能够在高信号强度下保持良好的信号完整性，减少互调干扰。其低噪声系数（1.3 dB）确保了在接收路径中对信号的高灵敏度处理，适用于对噪声要求严格的无线接收系统。该器件的增益高达 19 dB，为系统设计提供了良好的信号增强能力。
　　该 LNA 在 5 V 电压下工作，静态电流为 80 mA，具有良好的功耗控制能力。其 SOT-89 封装形式适合表面贴装，便于集成到各种无线通信模块中。此外，RF5765SB 的高输出三阶截点（+42 dBm）使其在多载波和宽带应用中表现优异，能够有效应对高动态范围的信号环境。
　　由于采用了 GaAs HBT 工艺，RF5765SB 在高频下保持良好的稳定性和可靠性，适用于基站、接入点、Wi-Fi 6 模块以及其他高性能无线通信设备。

应用

RF5765SB 主要用于工作在 2.3 GHz 至 2.7 GHz 频段的无线通信系统中，如 Wi-Fi 6 和 5G Sub-6GHz 接收链路中的低噪声放大器。其高线性和低噪声特性使其成为无线基站、点对点微波通信、工业无线传感器、医疗成像设备和测试仪器中的理想选择。此外，该器件也广泛应用于物联网（IoT）设备和高性能无线接入点中，以提升接收灵敏度和整体系统性能。