时间：2025/9/2 10:11:34
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HY5S5B6GLFP-HE 是一款由 Hynix（现为 SK Hynix）生产的低功耗 DDR5 SDRAM（同步动态随机存取存储器）芯片，主要用于高性能计算、图形处理、网络设备和嵌入式系统等领域。该芯片采用 BGA（球栅阵列）封装，具有高带宽、低功耗和高密度存储的特点。其工作电压为 1.1V，支持更高的数据传输速率，适用于对内存带宽和能效要求较高的现代电子设备。
容量：6Gb（8G x 8）
类型：DDR5 SDRAM
封装：BGA
电压：1.1V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据速率：最高支持 6400Mbps
组织结构：x8
时钟频率：3200MHz
封装尺寸：8mm x 13mm
JEDEC 标准兼容：是
HY5S5B6GLFP-HE 是一款面向高性能应用的 DDR5 SDRAM 芯片，其主要特性包括低电压设计（1.1V），这有助于降低功耗并提高能效，适用于对功耗敏感的移动和嵌入式设备。该芯片支持高达 6400Mbps 的数据速率，使其能够满足高带宽需求的应用场景，如图形处理、AI 加速和服务器内存扩展。其 x8 组织结构提供了良好的数据完整性，适用于需要 ECC 支持的系统。此外，该芯片符合 JEDEC 标准，确保了与其他 DDR5 系统组件的兼容性。
在物理封装方面，HY5S5B6GLFP-HE 采用小型 BGA 封装，适用于空间受限的设计。其宽温工作范围（-40°C 至 +85°C）使其能够在工业级环境下稳定运行，适用于工业控制、通信设备和车载系统等应用场景。此外，该芯片具备出色的信号完整性设计，支持更高的时钟频率和数据传输稳定性，从而提升了整体系统性能。
HY5S5B6GLFP-HE 适用于多种高性能计算和存储应用场景，包括但不限于：图形加速卡、AI 推理模块、网络交换设备、工业控制主板、嵌入式视觉系统、边缘计算设备以及车载信息娱乐系统等。其低功耗和高带宽特性使其成为需要高效内存解决方案的移动和嵌入式设备的理想选择。由于其支持 ECC 功能，该芯片也常用于需要高数据完整性的服务器和工作站系统中。此外，其宽温范围和高可靠性设计也适用于恶劣工业环境和汽车电子应用。
MT52L256M8BA-6H:B4-IT, K4Y4G324GA-DC33, CY15B104Q-LHXI, AS4C512M16A-6B2B-TR
