时间：2025/8/14 16:18:43
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BAW56_R1_00101 是一款由罗姆（Rohm）公司制造的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于需要高效能和高可靠性的应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高功率处理能力以及良好的热稳定性，适用于多种电子设备，包括电源管理系统、马达控制和电池供电设备。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：4.4A
导通电阻（Rds(on)）：0.047Ω @ Vgs=4.5V
功率耗散（Pd）：200mW
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
BAW56_R1_00101 MOSFET具备多项显著特性，使其在多种应用中表现出色。首先，它的低导通电阻（Rds(on)）为0.047Ω，这意味着在导通状态下，器件的功率损耗极低，从而提高了整体系统的效率。这种特性对于需要高效能转换的应用（如DC-DC转换器和电源管理系统）尤为重要。
其次，该MOSFET的连续漏极电流为4.4A，表明其能够处理相对较高的电流负载，适合用于需要高功率输出的设备。同时，它的漏源电压（Vds）为20V，栅源电压（Vgs）为±12V，使其在广泛的电压范围内都能稳定工作。这种电压特性使其适用于多种电源设计，包括电池供电设备和小型马达控制系统。
BAW56_R1_00101 MOSFET广泛应用于多个领域。首先，它常用于电源管理系统，如AC-DC和DC-DC转换器，以提高能量转换效率并减少热量产生。其次，在电池供电设备中，该器件的低导通电阻和高效能特性有助于延长电池寿命。此外，它还适用于小型马达控制应用，例如在机器人、自动化设备和电动工具中，提供可靠的开关控制。由于其良好的热稳定性和宽温度范围，BAW56_R1_00101 也常用于工业控制系统和汽车电子产品。
Si2302DS, FDN340P, 2N7002K
