类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：115mA（@25℃）
　　最大耗散功率（PD）：300mW
　　导通电阻（RDS(on)）：5Ω（@VGS=10V）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：SOT-23（3引脚）

2N7002MS 的核心特性之一是其优异的开关性能，具有较快的导通和关断时间，适用于高频开关电路。其低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高整体效率。此外，该器件具有较高的热稳定性和抗过载能力，在高温度环境下仍能保持稳定工作。
　　该MOSFET的栅极结构采用了硅栅工艺，提供了良好的栅极控制能力和稳定的阈值电压。其±20V的栅源电压耐受能力使得在设计驱动电路时具有较大的灵活性，可以兼容多种控制信号源。
　　2N7002MS 采用 SOT-23 小型表面贴装封装，体积小巧，适合在空间受限的设计中使用。同时，这种封装形式也便于自动化生产和回流焊工艺的应用，提高了生产效率和可靠性。
　　在保护性能方面，该器件具有良好的抗静电（ESD）能力和一定的抗浪涌电流能力，能够在一定程度上抵御外部环境带来的电气应力，提高系统的稳定性。

2N7002MS 广泛应用于多种电子系统中，尤其适用于需要低功耗、小尺寸和中等功率开关控制的场合。常见应用包括电源管理系统中的负载开关、LED驱动电路、继电器驱动、逻辑电平转换、电机控制电路以及各种便携式电子设备中的开关电源管理模块。
　　由于其高速开关特性，该器件常用于DC-DC转换器、同步整流器以及PWM控制电路中。在工业自动化控制领域，2N7002MS 也常用于传感器信号调理、执行器驱动和继电器替代方案中，以实现更高的可靠性和更长的使用寿命。
　　此外，该MOSFET也常用于电池供电设备中的电源管理，如移动电话、平板电脑、穿戴设备和无线传感器网络等，其低功耗特性能够有效延长设备的续航时间。

2N7000, BSS138, 2N7002K, 2N7002E, FDN337N