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HY57V658020BLTC-10P 发布时间 时间:2025/9/1 18:33:11 查看 阅读:7

HY57V658020BLTC-10P 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该型号属于同步动态RAM(SDRAM)系列,具有高速数据访问能力和同步控制接口,广泛用于需要高速存储器的电子设备中。

参数

容量:64Mbit
  组织结构:4M x 16
  工作电压:3.3V
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  引脚数:54
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  最大时钟频率:100MHz
  访问时间:10ns

特性

HY57V658020BLTC-10P 采用同步动态RAM技术,其主要特点包括高速数据传输、低功耗设计以及宽广的工作温度范围,适用于工业环境。该芯片支持自动刷新和自刷新模式,能够有效保持数据完整性。此外,其TSOP封装设计有助于提高电路板空间利用率,并增强了散热性能。
  这款DRAM芯片的同步接口允许其与系统时钟同步操作,从而提高了数据传输效率和系统性能。它还支持突发模式访问,可以连续读取或写入多个数据位,减少了地址切换的延迟。此外,HY57V658020BLTC-10P 具备较高的可靠性和稳定性,适用于长期运行的设备和对性能要求较高的应用。

应用

HY57V658020BLTC-10P 主要用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、通信模块、消费电子产品以及其他需要高速存储器的应用场景。其高可靠性和宽温范围使其特别适合工业和汽车电子应用。

替代型号

IS42S16400B-10B4, MT48LC16M16A2B4-10A

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