时间：2025/8/9 10:04:07
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2SK3788-01 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，适用于高效率电源转换系统。这款MOSFET采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高电流能力，适合用于开关电源、DC-DC转换器和负载开关等应用。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：20V
连续漏极电流（Id）：100A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（最大值，@Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：140W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220AB
2SK3788-01 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高电源转换效率。该器件的Rds(on)最大值为4.5mΩ，在Vgs=10V时表现出优异的导电性能。
此外，该MOSFET具有高电流承载能力，额定连续漏极电流为100A，使其适用于高功率密度设计。同时，该器件的封装形式为TO-220AB，具备良好的散热性能，适用于高功率应用。
该MOSFET采用了东芝的先进沟槽技术，优化了器件的开关性能，减少了开关损耗。同时，其栅极驱动电压范围宽，可在+10V至+20V之间工作，确保稳定的导通状态。
在可靠性方面，2SK3788-01具有良好的热稳定性和过热保护能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。此外，其高雪崩能量耐受能力增强了器件在恶劣环境下的耐用性。
该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于各种工业和汽车电子应用，具备较强的环境适应能力。
2SK3788-01 主要用于需要高效率和大电流能力的电源管理系统。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电机控制电路以及工业自动化设备中的功率开关。
在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）和车载逆变器等应用。其高可靠性和宽温度范围使其成为汽车和工业环境中理想的功率开关器件。
此外，该MOSFET也可用于高功率LED驱动电路、服务器电源模块以及储能系统中的功率控制部分。其低导通电阻和高电流能力使其在高频开关应用中表现出色，有助于提升整体系统效率。
SiS828CHL, IRF1010E, FDP1010N, IPP110N10N3G
