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HY57V641620HGLT-5I 发布时间 时间:2025/9/1 16:18:36 查看 阅读:8

HY57V641620HGLT-5I 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于SDRAM类别,具有64MB的存储容量,主要面向需要中等容量存储和高速数据访问的嵌入式系统、工业设备和通信设备等应用场景。该芯片采用TSOP封装,具备良好的稳定性和兼容性,适用于各种需要高效数据缓存和临时存储的场合。

参数

类型:DRAM
  容量:64Mbit(4M x 16)
  电压:3.3V
  封装:TSOP
  工作温度范围:-40°C至85°C
  访问时间:5.4ns
  接口类型:并行
  数据宽度:16位
  时钟频率:166MHz
  封装引脚数:54
  制造工艺:CMOS

特性

HY57V641620HGLT-5I 作为一款高性能DRAM芯片,具备多项优良特性。其64Mbit的容量和16位数据总线宽度使其能够提供较大的数据吞吐能力,适用于图像处理、高速缓存等需要大量数据读写的应用。芯片支持异步和同步两种操作模式,允许灵活配置以适应不同系统的需求。该芯片的工作电压为3.3V,具备较低的功耗特性,有助于提高系统的能效。此外,其TSOP封装形式不仅减小了PCB板的空间占用,还提升了抗干扰能力,确保在复杂环境中仍能稳定运行。芯片的工业级工作温度范围(-40°C至85°C)使其能够适应恶劣的工业环境,确保设备在各种条件下都能正常运行。

应用

HY57V641620HGLT-5I 主要应用于需要中高容量存储和高速访问的嵌入式系统,例如工业控制设备、通信模块、网络设备、视频采集与处理系统以及人机界面设备等。在工业控制领域,该芯片可作为控制器的高速缓存,提升系统响应速度;在通信设备中,可作为临时数据存储器,用于缓冲数据包传输;在视频处理设备中,可用于存储帧缓冲数据,提高图像处理效率。此外,该芯片也可用于老式PC主板、测试仪器和测量设备等需要高性能DRAM的场合。

替代型号

IS42S16400F-5TLI, MT48LC16M16A2B4-5A

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