时间：2025/6/13 12:03:20
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CDR03BP821BJZMAT是一款由ON Semiconductor生产的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用TO-263封装，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点，适用于多种开关电源、电机驱动以及负载切换等应用场合。
该型号属于PowerTrench系列MOSFET，优化了开关性能和热特性，从而在高功率密度应用中表现出色。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：30A
导通电阻（典型值）：7.5mΩ
栅极电荷：47nC
总功耗：245W
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻，有助于降低导通损耗，提高整体效率。
2. 快速开关特性，能够支持高频应用，减少电磁干扰。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
4. 热增强型TO-263封装设计，提高了散热性能。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换级。
2. 电机控制和驱动电路。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 太阳能逆变器及电池管理系统。
5. 各种AC/DC适配器和充电器模块。
CDR03BP821BKTMA, CDR03BP821BKTMB
