容量：8Mbit（1M x 8位）
　　电压范围：2.7V - 3.6V
　　访问时间：70ns
　　接口类型：并行（8位数据总线）
　　封装形式：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　工作温度：-40°C至+85°C
　　编程电压：内部电荷泵产生，无需外部高压
　　读取电流：典型值10mA @ 55ns
　　待机电流：最大30μA

HY29F080T-70是一款高性能、低功耗的NOR Flash存储器，专为嵌入式系统设计。其主要特性包括快速访问时间（70ns），确保系统运行的高效性；支持低功耗模式，适合对功耗敏感的应用。该芯片采用单电源供电（2.7V至3.6V），简化了电源设计，提高了系统的可靠性。
　　其存储结构分为多个可独立擦除的扇区，允许用户进行局部擦除和更新，避免了整片擦除带来的不便。此外，该芯片支持软件数据保护机制，防止误写入和误擦除，提高了数据存储的安全性。
　　内置的电荷泵电路可提供芯片编程所需的高压，无需外部高压源，简化了硬件设计。同时，该器件支持多种标准命令集，如JEDEC标准命令集，便于与微控制器或嵌入式系统集成。
　　在可靠性方面，HY29F080T-70具有高耐久性（典型擦写次数为10万次）和长达10年的数据保持能力，适用于长期运行的工业控制、通信设备和消费类电子产品。

HY29F080T-70广泛应用于嵌入式系统中作为程序存储器，例如工业控制设备、通信模块、智能卡终端、消费电子产品（如数字相机、便携式游戏机）等。其非易失性存储特性使其适用于需要在断电后仍保留数据的场合，如固件存储、BIOS存储、引导代码存储等。此外，由于其支持扇区擦除功能，适合需要频繁更新部分程序或数据的应用环境。

S29AL008J3BCA2, AM29F080B-70, MX29LV800T-70