时间：2025/6/17 7:22:59
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VRH3101NTX 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和高效率的特点，适合用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等应用。其封装形式通常为小型化表面贴装类型，便于在紧凑设计中使用。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：3.6A
导通电阻（典型值）：5.5mΩ
栅极电荷：7.5nC
总电容（输入电容）：980pF
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装形式：LFPAK33
VRH3101NTX 的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。此外，它还具备快速开关性能，使其非常适合高频应用。其坚固的设计能够承受较高的结温，并且在多种工况下保持稳定运行。
这款 MOSFET 的低性能。同时，它的紧凑封装使其成为空间受限应用的理想选择。通过结合高效能与高可靠性，VRH3101NTX 成为许多电力电子设计中的关键组件。
VRH3101NTX 广泛应用于消费类电子产品、工业设备以及汽车领域。具体应用包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）中的同步整流
- DC-DC 转换器的高端或低端开关
- USB 端口保护及负载开关
- 小型电机驱动控制
- 笔记本电脑和平板电脑的电源管理
- LED 驱动电路中的电流调节
VRH2101NFX, IRLR7843PBF, AO4402A
