时间：2025/7/4 23:39:14
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MA0402CG820K100 是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，采用常关型（Enhancement Mode）设计。该器件适用于高频、高效率的电源转换应用场景，例如开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等。其出色的开关特性和低导通电阻使其成为传统硅基 MOSFET 的理想替代方案。
该芯片封装为表面贴装形式，便于自动化生产和散热管理，同时具备良好的电气性能和可靠性。
型号：MA0402CG820K100
类型：增强型氮化镓功率晶体管 (GaN HEMT)
额定电压：650V
额定电流：30A
导通电阻：80mΩ
最大漏源电压：650V
栅极阈值电压：2.5V~4.5V
工作温度范围：-55℃~+175℃
封装形式：TO-252（DPAK）
MA0402CG820K100 以其卓越的高频特性和高效能著称。与传统的硅基 MOSFET 相比，这款 GaN 器件拥有更低的寄生电容和更小的导通电阻，从而显著减少了开关损耗和传导损耗。此外，其快速开关能力支持 MHz 级别的工作频率，非常适合紧凑型设计的应用场景。
在可靠性方面，MA0402CG820K100 具有优异的热稳定性，能够在高温环境下长时间运行而不降低性能。它还内置了多种保护功能，如过流保护和短路保护，以提高系统的整体安全性。
此器件特别适合需要高功率密度和高效率的场合，例如服务器电源、电动汽车充电装置以及可再生能源逆变器等。
MA0402CG820K100 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 高效谐振拓扑结构，例如 LLC 谐振转换器。
3. 快速充电器及 USB-PD 适配器。
4. 电动车辆充电基础设施中的双向功率转换。
5. 工业级电机驱动系统。
6. 太阳能微逆变器及其他分布式能源管理系统。
MPH0402CJ920K100
GXT650E30AG80M
NPG065R080N3L
