MA0402CG820K100 是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率晶体管,采用常关型(Enhancement Mode)设计。该器件适用于高频、高效率的电源转换应用场景,例如开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等。其出色的开关特性和低导通电阻使其成为传统硅基 MOSFET 的理想替代方案。
该芯片封装为表面贴装形式,便于自动化生产和散热管理,同时具备良好的电气性能和可靠性。
型号:MA0402CG820K100
类型:增强型氮化镓功率晶体管 (GaN HEMT)
额定电压:650V
额定电流:30A
导通电阻:80mΩ
最大漏源电压:650V
栅极阈值电压:2.5V~4.5V
工作温度范围:-55℃~+175℃
封装形式:TO-252(DPAK)
MA0402CG820K100 以其卓越的高频特性和高效能著称。与传统的硅基 MOSFET 相比,这款 GaN 器件拥有更低的寄生电容和更小的导通电阻,从而显著减少了开关损耗和传导损耗。此外,其快速开关能力支持 MHz 级别的工作频率,非常适合紧凑型设计的应用场景。
在可靠性方面,MA0402CG820K100 具有优异的热稳定性,能够在高温环境下长时间运行而不降低性能。它还内置了多种保护功能,如过流保护和短路保护,以提高系统的整体安全性。
此器件特别适合需要高功率密度和高效率的场合,例如服务器电源、电动汽车充电装置以及可再生能源逆变器等。
MA0402CG820K100 主要应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS),包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 高效谐振拓扑结构,例如 LLC 谐振转换器。
3. 快速充电器及 USB-PD 适配器。
4. 电动车辆充电基础设施中的双向功率转换。
5. 工业级电机驱动系统。
6. 太阳能微逆变器及其他分布式能源管理系统。
MPH0402CJ920K100
GXT650E30AG80M
NPG065R080N3L