HXS50-NP 时间：2025/12/26 10:37:08 阅读：8

HXS50-NP是一款由华芯半导体科技有限公司推出的高性能、高可靠性的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，广泛应用于工业电机驱动、新能源发电、电动汽车以及大功率电源变换系统等领域。该模块采用先进的沟槽栅场截止（Trench Field-Stop）技术，结合优化的内部封装设计，实现了低导通损耗、低开关损耗和优异的热稳定性。HXS50-NP为半桥拓扑结构，内部集成了两个独立的IGBT芯片与反并联快速恢复二极管，支持高频率开关操作，并具备良好的抗短路能力和温度均衡特性。
　　HXS50-NP采用标准行业封装形式（如Mini SKiiP或类似紧凑型模块封装），便于散热器安装和电气连接，适用于对空间和效率要求较高的应用场景。其外部绝缘材料具有高耐压性和良好的机械强度，能够在恶劣工作环境下长期稳定运行。此外，该器件通过了多项国际可靠性认证，符合RoHS环保要求，适合现代绿色能源系统的使用需求。

参数

型号：HXS50-NP
　　类型：IGBT模块（半桥）
　　集电极电流（Ic）：50A（连续）
　　峰值集电极电流（Icm）：100A
　　集射极击穿电压（Vces）：650V
　　栅极阈值电压（Vge(th)）：5.0V ~ 6.0V
　　饱和压降（Vce(sat) @ Ic=50A, Vge=15V）：≤2.0V
　　输入电容（Cies）：约3500pF
　　输出电容（Coes）：约950pF
　　反向恢复时间（trr）：< 150ns
　　最大工作结温（Tj）：150°C
　　隔离电压（Viso）：2500VAC / 分钟
　　封装形式：DIP-7 或 Mini-Module
　　安装方式：螺钉固定或压接式
　　热阻（Rth(j-c)）：0.35°C/W（单管）
　　开关频率典型值：≤40kHz

特性

HXS50-NP的核心技术基于新一代沟槽栅场截止IGBT结构，这种设计显著降低了载流子复合损失并优化了电场分布，从而在保持高阻断电压的同时大幅降低导通压降（Vce(sat)）。这一特性使得模块在中等负载至满载工况下均表现出卓越的能量转换效率，尤其适用于需要持续高效运行的变频器和逆变器系统。同时，其内置的快速软恢复二极管具备低反向恢复电荷（Qrr）和低尖峰电流特性，在高频开关过程中有效抑制电磁干扰（EMI）和电压过冲现象，提升系统整体可靠性。
　　该模块具备出色的动态性能，其开关速度经过精心调校，在开通和关断过程中的电流上升率（di/dt）和电压变化率（dv/dt）可控性强，有助于减少热应力集中和局部热点形成。模块内部采用铜带键合工艺替代传统铝线连接，增强了载流能力和机械强度，提高了抗热疲劳能力，延长了使用寿命。此外，陶瓷基板（如Al2O3或AlN）的应用进一步提升了散热效率和电气绝缘性能。
　　HXS50-NP还具备良好的短路耐受能力，典型短路安全工作时间为5μs以上（在Vce=600V时），可在突发故障条件下为控制系统提供足够的保护响应时间。模块的热阻参数经过优化设计，确保热量能快速从芯片传递到外壳，配合合理的散热方案可实现长时间高负载运行。整体结构密封性良好，防潮、防尘、抗氧化能力强，适应宽温范围（-40°C 至 +125°C 环境温度）工作环境。

应用

HXS50-NP被广泛用于各类中等功率电力电子设备中，尤其是在需要高效能量转换和稳定控制的场合。其主要应用领域包括通用交流变频器、伺服驱动器和感应加热电源，这些设备依赖于IGBT的快速响应和低损耗特性来实现精确的电机调速和转矩控制。在太阳能光伏逆变器中，HXS50-NP常用于DC-AC升压与逆变级，凭借其高耐压和低开关损耗优势，有助于提高整机效率并降低温升。
　　在电动汽车车载充电机（OBC）和直流充电桩的辅助电源模块中，该器件可用于PFC（功率因数校正）电路或DC-DC变换器部分，满足高功率密度和高可靠性的设计要求。此外，它也适用于不间断电源（UPS）、焊接电源、感应加热炉和风力发电变流器等工业电源系统。由于其具备较强的抗冲击能力和稳定的电气参数，HXS50-NP在电网波动频繁或负载突变的应用场景中表现尤为出色。对于研发人员而言，该模块兼容主流驱动电路设计，易于集成到现有平台，缩短产品开发周期。