时间：2025/5/28 12:01:23
阅读：11
PMN34UN是一种基于N沟道的功率MOSFET晶体管，采用TO-252（DPAK）封装形式。该器件主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动电路和负载开关等应用中。由于其低导通电阻和快速开关特性，PMN34UN在高效率和高频率的应用场景中表现出色。
漏源击穿电压：60V
连续漏极电流：4.1A
导通电阻（Rds(on)）：7mΩ（最大值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：9nC（典型值）
输入电容：180pF
开关速度：快速开关
工作温度范围：-55℃至+150℃
PMN34UN具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻使其在功率转换应用中能够降低传导损耗。
2. 快速开关速度支持高频操作，减少开关损耗。
3. TO-252封装提供良好的散热性能，并适合表面贴装技术（SMT）。
4. 内置反向二极管，可有效防止因感应电流造成的损害。
5. 高可靠性设计确保其在恶劣环境下的稳定运行。
6. 符合RoHS标准，环保无铅工艺。
PMN34UN广泛应用于多种电子领域，包括但不限于：
1. 开关电源中的同步整流电路。
2. DC-DC转换器的主开关或同步整流元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 负载开关和保护电路。
5. 消费类电子产品中的功率管理模块。
6. 工业自动化设备中的功率调节单元。
IRLML6402, SI4450DY
