HVK89TL 时间：2025/9/7 5:33:29 阅读：12

HVK89TL 是一款由 Renesas Electronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流容量的特点，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电池管理系统等场合。HVK89TL 采用高性能的沟槽式 MOSFET 技术，结合高可靠性的封装设计，能够在较高工作温度下稳定运行。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 2.9mΩ（在 Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8 双散热焊盘
　　功率耗散（Pd）：200W

特性

HVK89TL 的核心特性在于其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗并提高系统效率。其 60V 的漏源电压额定值允许其在多种中高功率应用中使用，而 ±20V 的栅源电压容限提高了器件在瞬态电压环境中的可靠性。该 MOSFET 具有高电流容量和优异的热性能，得益于其 PowerPAK SO-8 封装设计，能够有效散热并支持高密度电路布局。
　　此外，HVK89TL 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提升了开关性能，降低了开关损耗。该器件还具备较高的抗雪崩能力和良好的短路耐受性，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车应用。其工作温度范围宽达 -55°C 至 +175°C，使其能够在极端环境下正常运行。

应用

HVK89TL 适用于多种电源管理及功率控制电路，例如同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电动工具、电池管理系统（BMS）、电机驱动器和电源分配系统。其低导通电阻和高电流能力使其在高效能电源设计中具有显著优势。该器件也常用于汽车电子系统，如车载充电器、启停系统和电动助力转向系统等，满足汽车级可靠性要求。