时间：2025/9/11 8:01:02
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CGHV22200F是一款由Cree（现为Wolfspeed）制造的高功率射频横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管，专为在2GHz以下的高频应用而设计。这款晶体管采用了先进的硅基LDMOS技术，具备高功率密度、高效率和出色的热稳定性。CGHV22200F广泛用于无线基础设施、广播、工业加热、医疗设备和测试设备中的射频功率放大器设计。该器件能够在连续波（CW）模式下提供高达200W的输出功率，并具有良好的线性度和稳定性，适用于多频段和宽带应用。
类型：LDMOS RF功率晶体管
工作频率：DC至2GHz
输出功率：200W
漏极电压（VDS）：65V
栅极电压范围（VGS）：-5V至+3V
工作温度范围：-65°C至+150°C
存储温度范围：-65°C至+150°C
封装类型：Flange（法兰封装）
输入阻抗：50Ω
增益：22dB（典型值）
效率：70%（典型值）
CGHV22200F LDMOS晶体管具备高功率密度和高效率，使其成为高性能射频功率放大器的理想选择。该器件采用了先进的硅基LDMOS技术，可在高频率下保持优异的性能。其高输出功率能力（200W）和线性度特别适用于无线基础设施和广播应用中的高要求场景。该晶体管的宽带特性使其能够支持多频段操作，减少了对额外调谐电路的需求。
此外，CGHV22200F具有良好的热稳定性和耐用性，能够在恶劣的工作条件下保持可靠运行。其法兰封装设计有助于提高散热效率，确保在高功率操作下的稳定性和寿命。该器件的工作温度范围广泛（-65°C至+150°C），使其适用于各种环境条件下的应用，包括户外基站和工业设备。
CGHV22200F晶体管广泛应用于多个高性能射频系统中，包括无线基础设施（如蜂窝基站）、广播设备（如FM和TV发射机）、工业加热设备、医疗射频设备以及测试和测量仪器。其高功率输出和宽带特性使其非常适合用于多频段和宽带放大器设计，同时其高效率和稳定性也使其在高要求的连续运行系统中表现出色。该器件也可用于雷达、航空电子设备和军用通信系统中的射频功率放大器模块。
CGHV22200, CGHV22300F, CGHV22400F
