时间：2025/6/17 9:55:15
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MT03N8R2D500CT 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），专为高效率、低损耗的应用场景设计。该器件采用先进的制造工艺，具备较低的导通电阻和较高的开关速度，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的领域。
MT03N8R2D500CT 的封装形式为标准 TO-247，具有良好的散热性能，适合高功率应用场合。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：16A
导通电阻：82mΩ
栅极电荷：95nC
输入电容：1250pF
开关时间：ton=59ns, toff=44ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 高耐压能力：最大漏源电压达到 500V，适用于高压系统。
2. 超低导通电阻：在同类产品中表现出色，有效降低传导损耗。
3. 快速开关性能：具备较小的栅极电荷和快速的开关时间，能够显著减少开关损耗。
4. 高可靠性：通过严格的测试流程，确保长期使用的稳定性。
5. 紧凑型封装：TO-247 封装提供高效的热管理方案，同时保持紧凑尺寸。
6. 广泛的工作温度范围：支持从 -55℃ 到 +150℃ 的极端环境条件。
1. 开关电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 电机驱动控制
4. 太阳能逆变器
5. 工业自动化设备
6. 电动工具及家电中的功率转换模块
MT03N8R2D500AT, IRFP460, STP16NF50
