PESDLC2FD5VUH 是一款基于硅技术的瞬态电压抑制 (TVS) 二极管阵列,专为保护低压敏感电子设备免受静电放电 (ESD)、浪涌和其它瞬态威胁而设计。该器件采用超低电容设计,非常适合高速数据线和高频信号传输应用。
此 TVS 二极管具有出色的钳位性能和快速响应时间,能够有效保护系统电路免受破坏性瞬态电压的影响。
封装:DFN4
工作电压:5V
峰值脉冲电流:±10A
最大箝位电压:8.3V
静态漏电流:≤1μA
结电容:0.3pF
响应时间:≤1ps
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
PESDLC2FD5VUH 的主要特性包括:
1. 超低电容(0.3pF),适合高速数据线路的保护。
2. 快速响应时间(≤1ps),确保瞬态事件得到及时抑制。
3. 高度可靠的 ESD 防护能力,符合 IEC61000-4-2 标准(接触放电 ±30kV 和空气放电 ±30kV)。
4. 小型封装(DFN4),节省 PCB 空间。
5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
6. 可在恶劣环境条件下稳定运行,支持工业级温度范围(-55℃ 至 +150℃)。
PESDLC2FD5VUH 广泛应用于需要高性能 ESD 和浪涌保护的场景,具体包括:
1. USB 2.0/3.0 数据线保护。
2. HDMI、DisplayPort 和其他高速接口的防护。
3. 移动通信设备中的射频信号线保护。
4. 工业控制系统的信号链保护。
5. 消费类电子产品中的音频/视频接口防护。
6. 医疗设备中的敏感信号线路保护。
PESDLB2FD5VUH, PESDLC1FD5VUA