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GA0805A560GBEBR31G 发布时间 时间:2025/6/6 13:46:49 查看 阅读:26

GA0805A560GBEBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高效率和优异的热性能等特点。
  该器件属于 N 沟道增强型 MOSFET,适用于需要快速开关和低损耗的应用场景,例如 DC-DC 转换器、逆变器和负载开关等。其封装形式和电气特性经过优化,能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:24A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:48nC
  开关速度:超快
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃
  封装形式:TO-220

特性

GA0805A560GBEBR31G 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够显著降低功率损耗并提升系统效率。
  2. 高速开关性能,适合高频应用场合。
  3. 强大的浪涌电流能力,增强了器件的可靠性。
  4. 具备优异的热稳定性和散热性能,能够在高温环境下长期稳定运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适用于多种工业领域。
  6. 内置 ESD 保护功能,提高了产品的抗静电能力。

应用

该芯片广泛用于各种电力电子设备中,典型应用场景包括:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动电路,特别是无刷直流电机 (BLDC) 控制。
  3. 电池管理系统 (BMS),用于充放电控制。
  4. 电动工具和家用电器中的负载开关。
  5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
  6. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。

替代型号

IRFZ44N
  STP24NF06
  FDP18N06L

GA0805A560GBEBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容56 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-