VNB20N07 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,主要用于高电流、高效率的功率转换和管理应用。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻、高耐压能力和出色的热性能。VNB20N07 适用于 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统以及电机控制等应用场景。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 (Vds):70V
最大漏极电流 (Id):20A
导通电阻 (Rds(on)):典型值 35mΩ(在 Vgs=10V)
栅极电荷 (Qg):典型值 65nC
最大功耗 (Ptot):160W
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装形式:TO-220AB、D2PAK
VNB20N07 具备多项优异的电气和热特性,适用于高功率密度和高效率的功率电子系统。
首先,其低导通电阻(Rds(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率,尤其适用于高电流应用,如 DC-DC 转换器和同步整流电路。
其次,该 MOSFET 的最大漏源电压为 70V,能够满足多种中压功率转换应用的需求,例如工业电源、电动工具和电池管理系统。
此外,VNB20N07 提供了较高的栅极电荷(Qg)参数,适用于中等频率的开关应用,可以在保持良好效率的同时实现快速开关。
器件采用了坚固的封装形式(如 TO-220AB 和 D2PAK),具有良好的散热性能,能够在高温环境下稳定运行,确保长期工作的可靠性。
同时,VNB20N07 支持宽温度范围(-55°C 至 175°C),适用于恶劣的工作环境,如汽车电子和工业控制设备。
最后,该器件具备较高的耐用性和抗短路能力,有助于提高系统的稳定性和安全性,降低故障率。
VNB20N07 被广泛应用于多个高功率电子系统中。
在电源管理系统中,VNB20N07 常用于同步整流器、DC-DC 转换器和负载开关,以提高转换效率并减少热损耗。
在电池管理系统(BMS)中,它用于电池充放电控制和保护电路,确保电池组的安全运行。
在工业自动化领域,该 MOSFET 可用于电机驱动器、伺服控制系统和工业电源模块。
此外,VNB20N07 还适用于电动工具、不间断电源(UPS)和太阳能逆变器等高功率便携式设备,提供高效、可靠的功率控制方案。
汽车电子应用中,该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和车载 DC-DC 转换器,满足汽车电子对高可靠性和高温性能的要求。
IPD20N06S4-03, FDP20N06, STP20NF06, IRFZ44N