VNB20N07 时间：2025/7/22 8:14:57 阅读：12

VNB20N07 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高电流、高效率的功率转换和管理应用。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻、高耐压能力和出色的热性能。VNB20N07 适用于 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统以及电机控制等应用场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 (Vds)：70V
　　最大漏极电流 (Id)：20A
　　导通电阻 (Rds(on))：典型值 35mΩ（在 Vgs=10V）
　　栅极电荷 (Qg)：典型值 65nC
　　最大功耗 (Ptot)：160W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-220AB、D2PAK

特性

VNB20N07 具备多项优异的电气和热特性，适用于高功率密度和高效率的功率电子系统。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，尤其适用于高电流应用，如 DC-DC 转换器和同步整流电路。
　　其次，该 MOSFET 的最大漏源电压为 70V，能够满足多种中压功率转换应用的需求，例如工业电源、电动工具和电池管理系统。
　　此外，VNB20N07 提供了较高的栅极电荷（Qg）参数，适用于中等频率的开关应用，可以在保持良好效率的同时实现快速开关。
　　器件采用了坚固的封装形式（如 TO-220AB 和 D2PAK），具有良好的散热性能，能够在高温环境下稳定运行，确保长期工作的可靠性。
　　同时，VNB20N07 支持宽温度范围（-55°C 至 175°C），适用于恶劣的工作环境，如汽车电子和工业控制设备。
　　最后，该器件具备较高的耐用性和抗短路能力，有助于提高系统的稳定性和安全性，降低故障率。

应用

VNB20N07 被广泛应用于多个高功率电子系统中。
　　在电源管理系统中，VNB20N07 常用于同步整流器、DC-DC 转换器和负载开关，以提高转换效率并减少热损耗。
　　在电池管理系统（BMS）中，它用于电池充放电控制和保护电路，确保电池组的安全运行。
　　在工业自动化领域，该 MOSFET 可用于电机驱动器、伺服控制系统和工业电源模块。
　　此外，VNB20N07 还适用于电动工具、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等高功率便携式设备，提供高效、可靠的功率控制方案。
　　汽车电子应用中，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车载 DC-DC 转换器，满足汽车电子对高可靠性和高温性能的要求。