时间：2025/7/12 0:16:06
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HV1E477M1010PZ 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，主要应用于高电压和大电流场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适合在开关电源、电机驱动和逆变器等应用中使用。
该型号是增强型 N 沟道 MOSFET，能够有效降低系统功耗并提高效率。
最大漏源电压：800V
连续漏极电流：12A
导通电阻（典型值）：0.25Ω
栅极电荷：35nC
输入电容：1200pF
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
HV1E477M1010PZ 的主要特点是其能够在高电压环境下稳定运行，同时保持较低的导通电阻以减少功率损耗。
该器件还具有快速开关能力，可有效降低开关损耗，并通过优化的封装设计提升散热性能。
此外，其高可靠性设计使其适用于严苛的工作环境，如工业控制和汽车电子领域。
它还具备优秀的静电防护能力和抗浪涌能力，确保长期稳定运行。
这款 MOSFET 广泛用于需要高效功率转换的应用场合，例如开关模式电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动电路、太阳能逆变器以及不间断电源（UPS）。
由于其高压和大电流处理能力，HV1E477M1010PZ 还非常适合应用于电动汽车充电设备和工业自动化设备中的功率管理模块。
HV1E477M1015PZ
HV1E477M1020PZ
HV1E477M1030PZ
