时间：2025/8/6 12:08:42
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IXGH32N60C是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高电流的开关应用。该器件采用TO-247封装，具有低导通电阻、高开关速度和高可靠性等特点。IXGH32N60C广泛应用于电源转换器、电机驱动、UPS系统、太阳能逆变器以及工业控制设备中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：32A
功耗(Pd)：208W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
存储温度范围：-55°C ~ 150°C
导通电阻(Rds(on))：0.11Ω（典型值）
栅极电荷(Qg)：93nC
输入电容(Ciss)：1500pF
封装形式：TO-247
IXGH32N60C MOSFET具备多项优良的电气和热性能。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的最大漏源电压为600V，适用于中高功率开关应用，如DC-DC转换器、AC-DC电源和逆变器等。其连续漏极电流可达32A，能够承受较大的负载电流，确保在高功率环境下稳定运行。
此外，IXGH32N60C具有良好的热稳定性，采用TO-247封装形式，便于散热和安装。该封装具备良好的机械强度和电气绝缘性能，适用于工业级应用环境。该MOSFET的栅极电荷（Qg）较低，有助于提高开关速度，减少开关损耗。同时，其输入电容较小，有助于降低高频开关时的驱动损耗，提高系统响应速度。
IXGH32N60C MOSFET主要应用于需要高电压、高电流特性的功率电子系统中。常见应用包括：开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器（如太阳能逆变器、UPS不间断电源）、电池充电器、工业自动化控制系统、电焊设备、电磁加热系统等。由于其高效率和高可靠性，IXGH32N60C也常用于新能源设备和节能型家电产品中。
STW34N60W、IRFP460LC、FGL40N60S、TK32A60D
