BUK763R6-40C是一款由安森美(onsemi)生产的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用TOLL封装形式,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等高效能应用领域。
这款MOSFET的主要特点包括低导通电阻、高雪崩能力以及快速开关性能,从而提高了系统的效率并减少了功率损耗。
型号:BUK763R6-40C
类型:N-Channel MOSFET
封装:TOLL
最大漏源电压Vds:40V
最大栅源电压Vgs:±20V
最大连续漏极电流Id:238A
最大脉冲漏极电流Ibm:590A
导通电阻Rds(on):3.8mΩ(在Vgs=10V时)
总功耗Ptot:250W
工作结温范围Tj:-55°C to +175°C
BUK763R6-40C采用了先进的制造工艺,具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高系统效率。
2. 高电流处理能力,支持高达238A的连续漏极电流,满足大功率应用场景需求。
3. 快速开关性能,有助于降低开关损耗,提升高频应用中的表现。
4. 强大的雪崩能力和鲁棒性,能够在异常条件下提供更高的可靠性。
5. TOLL封装形式,具备出色的热性能和电气性能,同时兼容自动装配工艺。
6. 工作温度范围广,能够适应各种恶劣环境下的应用需求。
BUK763R6-40C广泛应用于需要高效能和高可靠性的场景中,具体应用领域包括:
1. 开关电源(SMPS)设计中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率开关,用于汽车电子和工业设备中的电压调节。
3. 电机驱动电路,为电动工具、家用电器及工业电机提供高效的驱动能力。
4. 太阳能逆变器和储能系统中的功率转换组件。
5. 各类负载切换和保护电路,例如服务器电源和通信设备中的关键模块。
BUK7Y1R3-40E, BUK7Y1R8-40E