时间：2025/6/19 13:31:15
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MT18B472K101CT 是一款高性能的 DDR3L SDRAM（低电压同步动态随机存取存储器）芯片，广泛应用于需要高效能和低功耗的电子设备中。该型号属于 Micron Technology（美光科技）生产的存储器系列，主要为移动设备、嵌入式系统和其他对功耗敏感的应用场景提供支持。DDR3L 技术允许在较低的工作电压下运行，从而减少能耗并提高设备的整体效率。
MT18B472K101CT 的设计符合 JEDEC 标准规范，确保其与主流平台的兼容性。此外，它具有高数据传输速率和可靠的性能表现，可满足现代电子设备对内存速度和容量的需求。
类型：DDR3L SDRAM
容量：4Gb (512M x 8)
工作电压：1.35V
数据速率：1600Mbps
封装形式：FBGA (Fine Pitch Ball Grid Array)
I/O 电压：1.5V
组织结构：512M x 8
温度范围：-40°C 至 +85°C
引脚数：96
1. MT18B472K101CT 使用 DDR3L 技术，支持 1.35V 的低电压操作，相比传统 DDR3 的 1.5V 更加节能。
2. 具备高达 1600Mbps 的数据传输速率，确保快速的数据处理能力。
3. 支持突发长度为 4 或 8 的读写操作，提高了数据访问效率。
4. 内置自动刷新和自刷新功能，能够维持数据完整性同时降低功耗。
5. 提供多种省电模式，例如深度电源降级 (DPD) 和部分阵列自刷新 (PASR)，进一步优化能源消耗。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
7. 封装形式采用 FBGA，适合紧凑型设计要求。
MT18B472K101CT 主要应用于以下领域：
1. 智能手机和平板电脑等便携式消费电子产品。
2. 嵌入式计算设备，如工业控制、网络通信和医疗设备。
3. 车载信息娱乐系统和高级驾驶辅助系统 (ADAS)。
4. 数字电视、机顶盒以及其他多媒体设备。
5. 物联网 (IoT) 网关和边缘计算设备。
由于其低功耗特性和高效性能，这款芯片非常适合需要长时间运行且对电池寿命有较高要求的设备。
MT18B472K101CT-D, MT18B472K101T
