27N25是一种功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),通常用于高功率应用,例如电源、电机控制和DC-DC转换器等。该器件采用N沟道结构,并且设计为能够在较高的电压和电流条件下高效运行。27N25以其快速开关特性、低导通电阻和高可靠性而闻名,适用于工业电子设备和自动化系统。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):250V
连续漏极电流(Id):27A
栅源电压(Vgs):±30V
导通电阻(Rds(on)):0.13Ω(最大值)
功耗(Pd):200W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-247
27N25的主要特性包括其高耐压和大电流能力,这使得它能够在高压和高功率环境中稳定工作。其低导通电阻不仅减少了功率损耗,还降低了工作时的发热,提高了整体效率。
此外,27N25具备良好的热稳定性和过载保护功能,能够在极端条件下维持性能并防止损坏。它的栅极设计允许快速开关操作,从而减少了开关损耗,适用于高频应用。
该MOSFET还具有较高的抗静电能力和耐用性,适合在工业环境中使用。27N25的封装设计(TO-247)有助于良好的散热,使其能够长时间运行而不会因过热而失效。
27N25广泛应用于各种高功率电子设备中,包括开关电源(SMPS)、电机驱动器、逆变器、DC-DC转换器以及自动化控制系统。它也常见于电池充电器、工业自动化设备和电动工具中,用于控制大功率负载。
由于其高效性和可靠性,27N25在需要高效率和高稳定性的电源管理方案中非常受欢迎。例如,在太阳能逆变器系统中,27N25可以作为核心的功率开关元件,实现高效的能量转换。
此外,它也适用于需要快速开关的场合,如变频器和电机控制电路,以提高系统的响应速度和能效。
IRF27N25、FDPF27N25、STP27N25、SiHF27N25