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ES1J_R1_00001 发布时间 时间:2025/6/22 10:46:23 查看 阅读:4

ES1J_R1_00001 是一款高性能的静电保护 (ESD) 芯片,广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制领域。该芯片具有低电容特性,能够有效保护敏感电路免受静电放电损害。它支持多线路保护,并具备快速响应时间,确保在瞬态电压冲击下的可靠性能。
  该芯片设计紧凑,适合高密度电路板布局,同时其封装形式兼容标准表面贴装工艺。

参数

工作电压:±25V
  电容值:0.5pF
  响应时间:1ns
  最大箝位电压:12V
  额定电流:1A
  封装形式:SOT-23
  工作温度范围:-40℃至+85℃

特性

ES1J_R1_00001 具备以下主要特性:
  1. 极低的电容值使其非常适合高速数据线的保护应用。
  2. 快速响应时间确保能够及时抑制瞬态过压事件。
  3. 高度稳定的性能,能够在多次ESD冲击后保持原有特性。
  4. 紧凑型封装简化了PCB设计并提升了生产效率。
  5. 支持多线路保护,减少了对额外保护元件的需求。
  6. 工作温度范围广,适应各种环境条件下的使用需求。

应用

ES1J_R1_00001 可用于多种场景:
  1. 消费类电子产品中的USB接口保护。
  2. 手机和其他便携式设备的天线端口保护。
  3. 工业自动化系统中信号线的静电防护。
  4. 通信设备的数据传输线路保护。
  5. 医疗设备中的敏感电路保护。
  6. 汽车电子系统的控制单元保护。

替代型号

ESD1J-R1, PESD5V0R1BAB, SMF24CA-02

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ES1J_R1_00001参数

  • 现有数量1,794现货
  • 价格1 : ¥3.02000剪切带(CT)1,800 : ¥0.64412卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)600 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.7 V @ 1 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)35 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏1 μA @ 600 V
  • 不同?Vr、F 时电容7pF @ 4V,1MHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳DO-214AC,SMA
  • 供应商器件封装SMA(DO-214AC)
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 150°C