QSBT-0040-TR1 时间：2025/5/9 18:04:47 阅读：10

QSBT-0040-TR1是一种高性能的功率MOSFET晶体管，专为开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用设计。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
　　它能够在高频工作条件下保持高效的功率转换，并且其封装形式适合表面贴装技术(SMT)，便于自动化生产和散热管理。

参数

型号：QSBT-0040-TR1
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　Vds（漏源电压）)（导通电阻）：4mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
　　Id（连续漏极电流）：30A
　　Ptot（总功耗）：150W
　　f(max)（最大工作频率）：5MHz
　　封装形式：TO-252(DPAK)
　　工作温度范围：-55℃至+175℃

特性

QSBT-0040-TR1具有以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻Rds(on)，能够减少功率损耗并提高系统效率。
　　2. 高速开关能力，适用于高频开关电路。
　　3. 优化的热阻设计，确保在高电流负载下稳定运行。
　　4. 紧凑的DPAK封装形式，支持高效散热和小型化设计。
　　5. 强大的抗雪崩能力，提高了器件在异常条件下的可靠性。
　　6. 宽泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境。

应用

QSBT-0040-TR1广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
　　2. DC-DC转换器中的功率级开关元件。
　　3. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动电路。
　　4. 汽车电子系统，如电池管理系统(BMS)和车载充电器。
　　5. LED驱动电路和其他需要高效功率控制的应用场景。