STP5NK100Z是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用TO-220封装形式,适用于多种功率转换和开关应用。它具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,适合在中高功率电路中使用。
STP5NK100Z广泛用于电源管理、电机控制、负载切换以及工业自动化等领域,其高可靠性和耐用性使其成为许多设计工程师的理想选择。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:5A
导通电阻:0.18Ω
栅极电荷:24nC
开关时间:开启时间25ns,关断时间30ns
工作结温范围:-55℃至+150℃
STP5NK100Z具备以下关键特性:
1. 高耐压能力:最大漏源电压为100V,能够适应高压应用场景。
2. 低导通电阻:典型值仅为0.18Ω,从而减少传导损耗并提高效率。
3. 快速开关性能:开启时间为25ns,关断时间为30ns,有助于降低开关损耗。
4. 小型封装:采用标准TO-220封装,便于安装且散热性能良好。
5. 宽温度范围:可在-55℃至+150℃的工作结温范围内稳定运行,适合恶劣环境下的应用。
6. 稳定性高:经过严格测试,确保在各种工况下均能保持高性能和可靠性。
STP5NK100Z主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用作主开关或同步整流器,提升电源转换效率。
2. 电机驱动:可用于无刷直流电机(BLDC)或其他电机的驱动电路中。
3. 负载切换:实现负载的快速开闭,保护电路免受过载影响。
4. 工业自动化:如PLC模块、传感器接口等场景中的功率控制。
5. 汽车电子:包括车载充电器、电动窗控制单元等应用。
6. 其他功率转换设备:例如逆变器、UPS系统等。
IRF540N
STP5NK60Z
FQP50N06L