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STP5NK100Z 发布时间 时间:2025/4/29 9:44:28 查看 阅读:1

STP5NK100Z是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用TO-220封装形式,适用于多种功率转换和开关应用。它具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,适合在中高功率电路中使用。
  STP5NK100Z广泛用于电源管理、电机控制、负载切换以及工业自动化等领域,其高可靠性和耐用性使其成为许多设计工程师的理想选择。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:5A
  导通电阻:0.18Ω
  栅极电荷:24nC
  开关时间:开启时间25ns,关断时间30ns
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

STP5NK100Z具备以下关键特性:
  1. 高耐压能力:最大漏源电压为100V,能够适应高压应用场景。
  2. 低导通电阻:典型值仅为0.18Ω,从而减少传导损耗并提高效率。
  3. 快速开关性能:开启时间为25ns,关断时间为30ns,有助于降低开关损耗。
  4. 小型封装:采用标准TO-220封装,便于安装且散热性能良好。
  5. 宽温度范围:可在-55℃至+150℃的工作结温范围内稳定运行,适合恶劣环境下的应用。
  6. 稳定性高:经过严格测试,确保在各种工况下均能保持高性能和可靠性。

应用

STP5NK100Z主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):用作主开关或同步整流器,提升电源转换效率。
  2. 电机驱动:可用于无刷直流电机(BLDC)或其他电机的驱动电路中。
  3. 负载切换:实现负载的快速开闭,保护电路免受过载影响。
  4. 工业自动化:如PLC模块、传感器接口等场景中的功率控制。
  5. 汽车电子:包括车载充电器、电动窗控制单元等应用。
  6. 其他功率转换设备:例如逆变器、UPS系统等。

替代型号

IRF540N
  STP5NK60Z
  FQP50N06L

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STP5NK100Z参数

  • 其它有关文件STP5NK100Z View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperMESH™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)1000V(1kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.7 欧姆 @ 1.75A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs59nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1154pF @ 25V
  • 功率 - 最大125W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称497-4382-5