FN15N100D500PNG是一种高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件通常用于高电压、大电流的开关应用中,具有较低的导通电阻和较高的耐压能力。
FN15N100D500PNG采用DPAK封装形式,能够承受高达100V的漏源极电压,并提供最大15A的连续漏极电流。其设计适合各种工业控制、电源转换以及负载开关等应用场景。
额定电压:100V
额定电流:15A
导通电阻(Rds(on)):4.2Ω(典型值,在Vgs=10V时)
栅极阈值电压(Vgs(th)):2.3V~4.5V
输入电容(Ciss):680pF
总功耗:75W
工作温度范围:-55℃~+150℃
FN15N100D500PNG具备以下主要特性:
1. 高耐压能力:器件支持高达100V的工作电压,适用于多种高压环境下的开关应用。
2. 低导通电阻:在标准测试条件下,其导通电阻仅为4.2Ω,从而减少传导损耗并提升效率。
3. 快速开关速度:由于优化的内部结构设计,器件能够实现快速的开启和关闭,降低开关损耗。
4. 良好的热性能:通过优化的封装设计,器件能够有效散热,确保在高温环境下稳定运行。
5. 强大的ESD保护:内置静电防护机制,增强了器件的可靠性和使用寿命。
6. 小型化封装:DPAK封装不仅节省了PCB空间,还提高了整体系统的紧凑性。
该MOSFET广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关元件。
2. 直流-直流转换器(DC-DC Converter)中的同步整流或高频开关。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 工业自动化设备中的负载切换与控制。
5. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
6. LED驱动器和其他需要高效功率开关的应用场景。
IRFZ44N
FQP17N10
STP16NF10
AO3400